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公开(公告)号：CN116121805A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310052394.4
申请日：2023-02-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04 , C03C17/34
Abstract: 本发明提供一种等价Cd2+替位Zn2+掺杂ZnIn2S4纳米片光阳极的制备方法。准备洁净的导电玻璃FTO，并在导电衬底FTO上，以包括ZnCl2、InCl3·4H2O和CH4N2S、CdCl2水溶液在内的原料，直接通过一步简易水热法进行反应，最后用去离子水和无水乙醇反复冲洗反应产物表面杂质，得到等价Cd2+替位Zn2+掺杂ZnIn2S4纳米片光阳极。本发明拓宽了ZnIn2S4的光谱吸收范围，降低ZnIn2S4光阳极与电解液之间的界面阻抗，增加其表面活性位点的数量，加快了表面反应动力学过程，显著提升ZnIn2S4光电极的光电化学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115424866B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211064231.X
申请日：2022-09-01
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二维六方相、菱形相ZnIn2S4复合同质结光电极的制备方法，包括以下步骤：导电衬底清洗；获得前体溶液；制得ZnIn2S4同质结光电极：将清洗好的导电衬底放入等离子体清洗机中处理，使导电衬底表面带电；在清洗的有效时间内，在导电衬底导电面的一端贴上耐高温胶带，取两片导电衬底，导电面朝下相放入水热釜内胆中；加入前体溶液，放入鼓风干燥箱内进行溶剂热反应，反应结束后冷却至室温，取出长有黄色样品的导电衬底，清洗后得到ZnIn2S4同质结光电极。本发明通过一步溶剂热法在导电衬底上直接生长ZnIn2S4同质结光电极，促进光生载流子的高效分离，显著提升光电极的光电化学性能。
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公开(公告)号：CN118980724B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411124346.2
申请日：2024-08-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种二维菱形相ZnIn2S4纳米片阵列光阳极的制备、层厚调控方法及光电探测应用。在干净的导电衬底FTO上，以包括ZnCl2、InCl3·4H2O和CH4N2S的水溶液为前体溶液，直接通过一步简易水热法，原位制备ZnIn2S4纳米片阵列光阳极。基于ZnIn2S4的PEC型自供电光电探测器包括电解液、参比电极、工作电极、对电极，工作电极即为ZnIn2S4纳米片阵列光阳极。本发明开发了一种基于硫脲浓度调控的限域生长方法来双向地调控ZnIn2S4原子层的层数堆叠，从而基于不同层数的ZnIn2S4制备了ZnIn2S4PEC型自供电光电探测器。根据不同层数的ZnIn2S4可调谐的光电特性，实现了宽光谱光电探测和紫外光电探测。
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公开(公告)号：CN119095472A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411209380.X
申请日：2024-08-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于TiO2/ReS2异质结自整流忆阻器阵列的制备方法及其应用。所述忆阻器阵列中单个器件的结构由下至上依次为FTO导电衬底、TiO2/ReS2异质结功能层和Au顶电极。本发明首次使用二氧化钛/二硫化铼作为忆阻器的功能层，TiO2作为忆阻器功能层的经典材料其具有良好的阻变和突触特性。与ReS2复合形成异质结之后改变器件的能带结构，提升器件的自整流性能。此特性可以抑制大规模交叉开关阵列中的潜行电流效应，极大地提高阵列的集成度，大幅降低阵列的功耗。
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公开(公告)号：CN118980724A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411124346.2
申请日：2024-08-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种二维菱形相ZnIn2S4纳米片阵列光阳极的制备、层厚调控方法及光电探测应用。在干净的导电衬底FTO上，以包括ZnCl2、InCl3·4H2O和CH4N2S的水溶液为前体溶液，直接通过一步简易水热法，原位制备ZnIn2S4纳米片阵列光阳极。基于ZnIn2S4的PEC型自供电光电探测器包括电解液、参比电极、工作电极、对电极，工作电极即为ZnIn2S4纳米片阵列光阳极。本发明开发了一种基于硫脲浓度调控的限域生长方法来双向地调控ZnIn2S4原子层的层数堆叠，从而基于不同层数的ZnIn2S4制备了ZnIn2S4PEC型自供电光电探测器。根据不同层数的ZnIn2S4可调谐的光电特性，实现了宽光谱光电探测和紫外光电探测。
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公开(公告)号：CN115424866A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211064231.X
申请日：2022-09-01
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二维六方相、菱形相ZnIn2S4复合同质结光电极的制备方法，包括以下步骤：导电衬底清洗；获得前体溶液；制得ZnIn2S4同质结光电极：将清洗好的导电衬底放入等离子体清洗机中处理，使导电衬底表面带电；在清洗的有效时间内，在导电衬底导电面的一端贴上耐高温胶带，取两片导电衬底，导电面朝下相放入水热釜内胆中；加入前体溶液，放入鼓风干燥箱内进行溶剂热反应，反应结束后冷却至室温，取出长有黄色样品的导电衬底，清洗后得到ZnIn2S4同质结光电极。本发明通过一步溶剂热法在导电衬底上直接生长ZnIn2S4同质结光电极，促进光生载流子的高效分离，显著提升光电极的光电化学性能。
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