公开(公告)号：CN116153975A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310262126.5

申请日：2023-03-17

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 谢自强 ,  吕伟锋 ,  郭梦雪 ,  赵孟杰 ,  林弥

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种抑制负电容鳍式晶体管输出电流损耗的方法。本发明通过改变NC‑FinFET源/漏延伸区的掺杂工艺，使用高斯轻掺杂工艺技术替代常规的均匀掺杂工艺技术，从而降低栅‑漏耦合电容，提高漏极区域内部电势，提升器件输出电流，而且可以进一步抑制NC‑FinFET的短沟道效应，提高器件性能。

公开(公告)号：CN114551242A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210176512.8

申请日：2022-02-25

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吕伟锋 ,  郭梦雪 ,  赵孟杰 ,  谢自强 ,  林弥

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种抑制负电容鳍式晶体管功函数变异影响的方法。本发明通过在源/漏极与栅极之间引入两种不同介质和不同厚度的双层侧墙，形成在靠近金属栅极的一定区域内同时引入high‑k侧墙和low‑k侧墙的结构。本发明通过调节双层侧墙结构中的low‑k与high‑k侧墙的材料种类和厚度，增加有效栅极长度和栅极面积，从而有效的抑制金属栅极功函数的随机分布而导致的器件性能波动的问题，进而提高芯片的成品率和可靠性。