公开(公告)号：CN108054276A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201711274222.2

申请日：2017-12-06

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 任堃 ,  周猷 ,  赵哲昊 ,  季振国

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开用于人工神经网络中的O‑Ti‑Sb‑Te基突触仿生器件。O‑Ti‑Sb‑Te材料作为突触仿生器件中的存储介质，可以在电信号作用下实现多态阻值之间的转换。基于O‑Ti‑Sb‑Te系列相变材料的突触仿生器件在电信号的操作下，其中间态电阻值能提供接近8比特的分辨率，开关电阻差异达到100倍，在相同脉冲操作下实现了电阻对脉冲个数的线性响应，具备作为突触仿生器件的优秀的电学性质。

公开(公告)号：CN108054276B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201711274222.2

申请日：2017-12-06

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 任堃 ,  周猷 ,  赵哲昊 ,  季振国

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开用于人工神经网络中的O‑Ti‑Sb‑Te基突触仿生器件。O‑Ti‑Sb‑Te材料作为突触仿生器件中的存储介质，可以在电信号作用下实现多态阻值之间的转换。基于O‑Ti‑Sb‑Te系列相变材料的突触仿生器件在电信号的操作下，其中间态电阻值能提供接近8比特的分辨率，开关电阻差异达到100倍，在相同脉冲操作下实现了电阻对脉冲个数的线性响应，具备作为突触仿生器件的优秀的电学性质。

公开(公告)号：CN109037438A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810647782.6

申请日：2018-06-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 任堃 ,  赵哲昊 ,  季振国

IPC: H01L45/00 ,  G06N3/063

CPC classification number: H01L45/144 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明公开用于人工神经网络中的N‑Ti‑Sb‑Te基突触仿生器件。本发明用于制备突触仿生器件的存储介质，是Nx(TiSbyTez)100‑x，其中0.1≤x≤5，0.25≤y/z≤4，12≤y+z≤50。该材料在电信号操作下可以实现多态高低阻值的反复转换，并在没有操作信号的情况下维持阻值不变；其中500皮秒≤电信号脉冲宽度≤500纳秒。基于N‑Ti‑Sb‑Te系列相变材料的突触仿生器件在电信号的操作下，其中间态电阻值能提供接近8比特的分辨率，开关电阻差异达到1000倍，在相同脉冲操作下实现了电阻对脉冲个数的线性响应，具备作为突触仿生器件的优秀的电学性质。

公开(公告)号：CN109037438B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN201810647782.6

申请日：2018-06-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 任堃 ,  赵哲昊 ,  季振国

IPC: H01L45/00 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明公开用于人工神经网络中的N‑Ti‑Sb‑Te基突触仿生器件。本发明用于制备突触仿生器件的存储介质，是Nx(TiSbyTez)100‑x，其中0.1≤x≤5，0.25≤y/z≤4，12≤y+z≤50。该材料在电信号操作下可以实现多态高低阻值的反复转换，并在没有操作信号的情况下维持阻值不变；其中500皮秒≤电信号脉冲宽度≤500纳秒。基于N‑Ti‑Sb‑Te系列相变材料的突触仿生器件在电信号的操作下，其中间态电阻值能提供接近8比特的分辨率，开关电阻差异达到1000倍，在相同脉冲操作下实现了电阻对脉冲个数的线性响应，具备作为突触仿生器件的优秀的电学性质。