-
公开(公告)号：CN110346407A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910536496.7
申请日：2019-06-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Inventor： 任堃
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开一种适用于纳米级厚度薄膜材料的热导率测试结构。本发明从下至上包括Si衬底、金属层、SiN支撑膜、“回”形结构有机膜；将待测薄膜沉积在“回”形结构有机膜上表面，然后撕去“回”形结构有机膜，待测薄膜仅保留在“回”形结构有机膜中间镂空部分所在位置，最终采用稳态测量方法或瞬态测量方法进行测试。采用本发明结构检测周期短，步骤简单，测试结果偏差较小，保证一致性好，减少了人为操作误差，并提高了效率。
-
公开(公告)号：CN108054276A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711274222.2
申请日：2017-12-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开用于人工神经网络中的O‑Ti‑Sb‑Te基突触仿生器件。O‑Ti‑Sb‑Te材料作为突触仿生器件中的存储介质，可以在电信号作用下实现多态阻值之间的转换。基于O‑Ti‑Sb‑Te系列相变材料的突触仿生器件在电信号的操作下，其中间态电阻值能提供接近8比特的分辨率，开关电阻差异达到100倍，在相同脉冲操作下实现了电阻对脉冲个数的线性响应，具备作为突触仿生器件的优秀的电学性质。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109037438B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201810647782.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开用于人工神经网络中的N‑Ti‑Sb‑Te基突触仿生器件。本发明用于制备突触仿生器件的存储介质，是Nx(TiSbyTez)100‑x，其中0.1≤x≤5，0.25≤y/z≤4，12≤y+z≤50。该材料在电信号操作下可以实现多态高低阻值的反复转换，并在没有操作信号的情况下维持阻值不变；其中500皮秒≤电信号脉冲宽度≤500纳秒。基于N‑Ti‑Sb‑Te系列相变材料的突触仿生器件在电信号的操作下，其中间态电阻值能提供接近8比特的分辨率，开关电阻差异达到1000倍，在相同脉冲操作下实现了电阻对脉冲个数的线性响应，具备作为突触仿生器件的优秀的电学性质。
-
公开(公告)号：CN110346407B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201910536496.7
申请日：2019-06-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Inventor： 任堃
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开一种适用于纳米级厚度薄膜材料的热导率测试结构。本发明从下至上包括Si衬底、金属层、SiN支撑膜、“回”形结构有机膜；将待测薄膜沉积在“回”形结构有机膜上表面，然后撕去“回”形结构有机膜，待测薄膜仅保留在“回”形结构有机膜中间镂空部分所在位置，最终采用稳态测量方法或瞬态测量方法进行测试。采用本发明结构检测周期短，步骤简单，测试结果偏差较小，保证一致性好，减少了人为操作误差，并提高了效率。
-
公开(公告)号：CN108054276B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201711274222.2
申请日：2017-12-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开用于人工神经网络中的O‑Ti‑Sb‑Te基突触仿生器件。O‑Ti‑Sb‑Te材料作为突触仿生器件中的存储介质，可以在电信号作用下实现多态阻值之间的转换。基于O‑Ti‑Sb‑Te系列相变材料的突触仿生器件在电信号的操作下，其中间态电阻值能提供接近8比特的分辨率，开关电阻差异达到100倍，在相同脉冲操作下实现了电阻对脉冲个数的线性响应，具备作为突触仿生器件的优秀的电学性质。
-
公开(公告)号：CN109037438A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810647782.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: H01L45/144 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开用于人工神经网络中的N‑Ti‑Sb‑Te基突触仿生器件。本发明用于制备突触仿生器件的存储介质，是Nx(TiSbyTez)100‑x，其中0.1≤x≤5，0.25≤y/z≤4，12≤y+z≤50。该材料在电信号操作下可以实现多态高低阻值的反复转换，并在没有操作信号的情况下维持阻值不变；其中500皮秒≤电信号脉冲宽度≤500纳秒。基于N‑Ti‑Sb‑Te系列相变材料的突触仿生器件在电信号的操作下，其中间态电阻值能提供接近8比特的分辨率，开关电阻差异达到1000倍，在相同脉冲操作下实现了电阻对脉冲个数的线性响应，具备作为突触仿生器件的优秀的电学性质。
-
公开(公告)号：CN106941129A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710035000.9
申请日：2017-01-17
Applicant: 杭州电子科技大学
Inventor： 任堃
CPC classification number: H01L45/14 , G11C13/0004 , H01L45/144
Abstract: 本发明一种用于低功耗相变存储器的GeTe/Bi2Te3超晶格结构存储介质。GeTe/Bi2Te3超晶格结构存储介质包含至少一个Bi2Te3层和GeTe材料层叠放单元，相邻单元间Bi2Te3层和GeTe材料层交替排布；Bi2Te3层厚度范围为10～50埃，GeTe层厚度范围为10～25埃；Bi2Te3层包括若干Bi2Te3单元，相邻Bi2Te3单元间通过van der waals作用结合。Bi2Te3/GeTe超晶格结构的应用能更有效降低相变存储器器件功耗。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.019 seconds)
