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公开(公告)号：CN102142607A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110024227.6
申请日：2011-01-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种宽带低轮廓背腔集成天线。现有产品体积大、加工成本高。本发明包括介质基片、涂覆在介质基片上表面的环型的金属条带和完整涂覆在介质基片下表面的金属地层、多个电互连单元顺序排列构成的电互连阵列、馈电单元和辐射单元。金属条带、金属地层和电互连阵列围合成腔体结构。构成电互连阵列的任意两个相邻电互连单元之间的占空比大于1。电互连单元为贯穿金属条带、介质基片和金属地层的金属化通孔或金属柱。本发明的宽带低轮廓背腔集成天线工作频带宽，增益高，辐射效率好，体积紧凑结构简单，易于设计加工，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102074795A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201110024223.8
申请日：2011-01-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种左右旋圆极化可重构天线。现有产品价格高且工艺复杂。本发明包括介质基片、介质基片上表面涂覆的上金属层和下表面涂覆的下金属层；上金属层开有环型的隔直流缝隙，直流电源的两端分别连接隔直流缝隙两边的上金属层；下金属层开有环型的辐射缝隙，跨辐射缝隙两边的下金属层连接有两个反相偏置的二极管；多个贯穿隔上金属层、介质基片和下金属层的电互连单元顺序排列构成的电互连阵列；由上金属层、下金属层和电互连阵列包围的区域构成腔体，馈电单元伸入该腔体内；贯穿隔直流缝隙包围的上金属层、介质基片和辐射缝隙包围的下金属层的导电元。本发明辐射性能好、增益高、轮廓低，可无缝平面集成，易于设计和加工，成本低廉。
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公开(公告)号：CN201966319U
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201120020321.X
申请日：2011-01-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及一种宽带低轮廓背腔集成天线。现有产品体积大、加工成本高。本实用新型包括介质基片、涂覆在介质基片上表面的环型的金属条带和完整涂覆在介质基片下表面的金属地层、多个电互连单元顺序排列构成的电互连阵列、馈电单元和辐射单元。金属条带、金属地层和电互连阵列围合成腔体结构。构成电互连阵列的任意两个相邻电互连单元之间的占空比大于1。电互连单元为贯穿金属条带、介质基片和金属地层的金属化通孔或金属柱。本实用新型的宽带低轮廓背腔集成天线工作频带宽，增益高，辐射效率好，体积紧凑结构简单，易于设计加工，成本低廉。
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公开(公告)号：CN201966318U
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201120020320.5
申请日：2011-01-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及一种左右旋圆极化可重构天线。现有产品价格高且工艺复杂。本实用新型包括介质基片、介质基片上表面涂覆的上金属层和下表面涂覆的下金属层；上金属层开有环型的隔直流缝隙，直流电源的两端分别连接隔直流缝隙两边的上金属层；下金属层开有环型的辐射缝隙，跨辐射缝隙两边的下金属层连接有两个反相偏置的二极管；多个贯穿隔上金属层、介质基片和下金属层的电互连单元顺序排列构成的电互连阵列；由上金属层、下金属层和电互连阵列包围的区域构成腔体，馈电单元伸入该腔体内；贯穿隔直流缝隙包围的上金属层、介质基片和辐射缝隙包围的下金属层的导电元。本实用新型辐射性能好、增益高、轮廓低，可无缝平面集成，易于设计和加工，成本低廉。
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