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公开(公告)号：CN103972329B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410192004.4
申请日：2014-05-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层的制备方法。本发明将硫化锌粉末在15MPa下保持10s压实成薄圆柱形片，直径1.3cm，厚度2mm，然后在氮气保护下800oC或1000oC度烧结，待温度降为室温取出，放入电子束蒸发镀膜系统所带的铜坩埚内，以充满铜坩埚的三分之二为宜，在普通玻璃衬底上进行电子束蒸发镀膜，制备ZnS薄膜，通过改变适当的电子束流、束流扫描范围、蒸发高压、蒸发压强、蒸发时间、基板温度以及后退火处理温度等条件制备了具有纤锌矿结构的多晶ZnS缓冲层薄膜，该薄膜具有宽的光学带隙、可见光区透射率高、表面平整度高、颗粒粒径小的特点，适合作为铜铟镓硒薄膜太阳能电池的无镉缓冲层薄膜。
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公开(公告)号：CN103880062A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410086377.3
申请日：2014-03-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌纳米柱薄膜及其制备方法。氧化锌纳米柱薄膜的微观结构具有六角柱状。其制备方法为将的六水合硝酸锌溶于去离子水中，通过搅拌配置成透明的硝酸锌溶液，然后逐滴加入氨水，使之形成透明的氨水络合物，然后，取适当溶液移入耐高压水热釜的聚四氟乙烯内胆中，同时将清洗干净的铜片放入水热釜内胆，严密封紧好后置入干燥箱，控制温度和时间进行水热反应，待反应结束后经过数次清洗、干燥，即在铜衬底上制备一层氧化锌纳米柱薄膜。采用本发明方法制备氧化锌纳米柱薄膜，原料廉价，环境友好，所用设备和制备过程简单，方便快捷，所得氧化锌纳米柱薄膜具有大面积均匀性、取向一致的特点，是一种性能良好的发光材料和半导体材料。
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公开(公告)号：CN103880062B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410086377.3
申请日：2014-03-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌纳米柱薄膜及其制备方法。氧化锌纳米柱薄膜的微观结构具有六角柱状。其制备方法为将的六水合硝酸锌溶于去离子水中，通过搅拌配置成透明的硝酸锌溶液，然后逐滴加入氨水，使之形成透明的氨水络合物，然后，取适当溶液移入耐高压水热釜的聚四氟乙烯内胆中，同时将清洗干净的铜片放入水热釜内胆，严密封紧好后置入干燥箱，控制温度和时间进行水热反应，待反应结束后经过数次清洗、干燥，即在铜衬底上制备一层氧化锌纳米柱薄膜。采用本发明方法制备氧化锌纳米柱薄膜，原料廉价，环境友好，所用设备和制备过程简单，方便快捷，所得氧化锌纳米柱薄膜具有大面积均匀性、取向一致的特点，是一种性能良好的发光材料和半导体材料。
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公开(公告)号：CN103972329A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410192004.4
申请日：2014-05-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层的制备方法。本发明将硫化锌粉末在15MPa下保持10s压实成薄圆柱形片，直径1.3cm，厚度2mm，然后在氮气保护下800oC或1000oC度烧结，待温度降为室温取出，放入电子束蒸发镀膜系统所带的铜坩埚内，以充满铜坩埚的三分之二为宜，在普通玻璃衬底上进行电子束蒸发镀膜，制备ZnS薄膜，通过改变适当的电子束流、束流扫描范围、蒸发高压、蒸发压强、蒸发时间、基板温度以及后退火处理温度等条件制备了具有纤锌矿结构的多晶ZnS缓冲层薄膜，该薄膜具有宽的光学带隙、可见光区透射率高、表面平整度高、颗粒粒径小的特点，适合作为铜铟镓硒薄膜太阳能电池的无镉缓冲层薄膜。
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