公开(公告)号：CN118264758A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410332494.7

申请日：2024-03-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 乔通 ,  牛犇 ,  周晓飞 ,  章国道 ,  郑瑞沣

IPC: H04N1/32 ,  H04L9/14 ,  H04L9/08

Abstract: 本发明公开了一种基于真实信道的多级人脸隐私保护方法，包括如下步骤：(1.1)原始图像预处理；(1.2)区域选择；(1.3)DCT系数加密；(1.4)置乱密钥生成；(1.5)DCT系数置乱；(1.6)置乱密钥嵌入；(2.1)获取原始图像与信道后处理图像的图像质量因子与量化表。(2.2)利用原始图像与压缩图像的量化表不同，对步骤(1)得到的保护图像的DCT系数进行处理，得到中间图像。(3.1)中间图像预处理；(3.2)置乱密钥提取；(3.3)辅助信息提取；(3.4)DCT系数逆置乱；(3.5)DCT系数重建(3.6)图像修复：利用滤波器筛选需要修复的点并使用图像修复算法修复噪点，得到修复后的重建图像。该方法通过实现多层隐私保护并在信道重新压缩后可逆重建。

公开(公告)号：CN116824430A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310362080.4

申请日：2023-03-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 乔通 ,  谢世闯 ,  乔明磊 ,  牛犇

IPC: G06V20/40 ,  G06V40/16 ,  G06V10/764 ,  G06V10/82 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/0455 ,  G06N3/0475 ,  G06N3/084 ,  G06N3/0895 ,  G06N3/094

Abstract: 本发明涉及一种基于半监督学习的深伪视频取证方法，基于本监督学习的方式，仅依靠真实视频作为输入，实现了深度伪造视频的检测。发明中提出的负样本生成器有效地模拟了深度伪造视频合成最后一步所留下的篡改痕迹。数据增广模块强调真伪图像之间的差异化信息，从数据层面加快了检测模型的学习进程。轻量化设计的半监督分类器结合RGB图像、低级的空间噪声图、帧间相关的时域噪声图，从多尺度寻找取证线索。三者相辅相成，共同组成了一个高效、鲁棒的半监督Deepfake视频检测框架。

公开(公告)号：CN115797653A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211547102.6

申请日：2022-12-05

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 陈彧星 ,  乔通 ,  谢世闯 ,  牛犇 ,  乔明磊

IPC: G06V10/44 ,  G06V10/764 ,  G06F21/60 ,  G06F21/62

Abstract: 针对现有的一些外包特征提取方法无法防止面部信息泄露或加密面部后人脸识别操作非常耗时的问题，提出了一种利用云端进行图像特征提取及特征分类的隐私保护的外包计算方法，包括以下步骤：步骤一，在客户端将RGB图像转换到YCbCr色彩空间，获得其R、B、Cb、Cr色彩通道的像素值矩阵；步骤二，使用一次一密式密钥对步骤一矩阵进行加密，加密后的矩阵发送给云端，步骤三，云端对步骤二的加密矩阵进行提取，输入神经网络或者集成分类器模型进行训练，并得到结果；步骤四，云端将分类的结果返回给客户端。

公开(公告)号：CN102623635A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210087237.9

申请日：2012-03-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李红霞 ,  季振国 ,  席俊华 ,  牛犇

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化锡的电阻式随机读取存储器及其制备方法。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本发明存储器由重掺硅衬底、二氧化锡薄膜、金属薄膜电极构成，二氧化锡薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本发明方法是采用半导体标准清洗工艺清洗重掺硅衬底；然后采用磁控溅射法在重掺硅衬底上沉积二氧化锡薄膜；最后在二氧化锡薄膜上采用电子束蒸发法制备金属薄膜电极。本发明通过采用新型的二氧化锡薄膜作为电阻式随机读取存储器中的阻变层，可以获得良好的电阻转变特性。

公开(公告)号：CN202523770U

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201220124497.4

申请日：2012-03-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李红霞 ,  季振国 ,  席俊华 ,  牛犇

IPC: H01L45/00

Abstract: 本实用新型公开了一种基于二氧化锡的电阻式随机读取存储器。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本实用新型存储器由重掺硅衬底、二氧化锡薄膜、金属薄膜电极构成，二氧化锡薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本实用新型通过采用新型的二氧化锡薄膜作为电阻式随机读取存储器中的阻变层，可以获得良好的电阻转变特性。