公开(公告)号：CN101867016A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010182402.X

申请日：2010-05-25

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  毛启楠 ,  柯伟青

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及到一种基于金属、氧化锌和重掺硅结构的电阻式存储器，由N型重掺硅衬底、氧化锌薄膜和金属薄膜电极依次粘附组成，本发明通过采用金属/氧化锌/重掺硅结构作为电阻式随机存储器的存储单元，可以获得良好的电阻转变及记忆特性。同时，与普通电阻式随机存储器的存储单元相比，进一步简化了器件结构，并能提高器件的热稳定性。

公开(公告)号：CN101824593A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010182394.9

申请日：2010-05-25

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  席俊华 ,  毛启楠 ,  柯伟青

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/28

Abstract: 本发明公开了一种耐腐蚀抗静电的硅薄膜的制备方法，硅薄膜通过激光脉冲沉积法制作，所用的靶材为硅材料。本方法制作工艺简单，沉积时工件不需加热，所用材料及工艺对环境没有污染，硅薄膜同时兼具耐腐蚀和抗静电两种功能，性能十分稳定。