公开(公告)号：CN116600582A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310640267.6

申请日：2023-06-01

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 叶静川 ,  严文生 ,  涂艺博 ,  杨高元 ,  刘若川 ,  邵天翔 ,  王宇 ,  周勤 ,  臧月 ,  李国栋 ,  楚亮

IPC: H10K30/88 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种基于界面工程的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。钙钛矿太阳能电池包括沿设定方向依次设置的底电极、空穴传输层、钙钛矿层、钙钛矿修饰层、电子传输层、空穴阻挡层及顶电极。本发明一种基于钙钛矿界面修饰的方法来提高钙钛矿太阳能电池的性能，通过在钙钛矿薄膜表面引入苯乙胺亚磷酸盐小分子来修复界面缺陷、调节钙钛矿表面的势垒和能级结构、充当水氧保护膜。所制备的修饰后的钙钛矿薄膜具有更低的非辐射复合损失，在环境空气中的稳定性也显著增强；所制备的优化后的全堆叠器件具有更加优异的功率转换效率。