公开(公告)号：CN119894219A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510369224.8

申请日：2025-03-27

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 周勤 ,  杨高元 ,  严文生

IPC: H10K30/50 ,  H10K30/88 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种基于乙硫氨酸的钙钛矿电池及其制备方法，属于半导体技术领域。所述钙钛矿电池从底到上包括导电玻璃、电子传输层、界面修饰层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层和金属背电极。所述界面修饰层为乙硫氨酸，厚度为5~10nm。所述制备方法通过在电子传输层表面旋涂DLEO水溶液，退火后得到表面更平整、缺陷态密度低的SnO2薄膜，随后在乙硫氨酸薄膜表面继续旋涂钙钛矿前驱体溶液，所制备的钙钛矿薄膜晶体尺寸增大、晶界减少、深能级缺陷态密度降低，有效地抑制了非辐射复合损失。引入DLEO作为界面修饰层有效优化了SnO2和钙钛矿之间的能级，有利于载流子的提取和传输，使得制备的钙钛矿电池的效率和稳定性得到同步提升。

公开(公告)号：CN116600582A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310640267.6

申请日：2023-06-01

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 叶静川 ,  严文生 ,  涂艺博 ,  杨高元 ,  刘若川 ,  邵天翔 ,  王宇 ,  周勤 ,  臧月 ,  李国栋 ,  楚亮

IPC: H10K30/88 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种基于界面工程的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。钙钛矿太阳能电池包括沿设定方向依次设置的底电极、空穴传输层、钙钛矿层、钙钛矿修饰层、电子传输层、空穴阻挡层及顶电极。本发明一种基于钙钛矿界面修饰的方法来提高钙钛矿太阳能电池的性能，通过在钙钛矿薄膜表面引入苯乙胺亚磷酸盐小分子来修复界面缺陷、调节钙钛矿表面的势垒和能级结构、充当水氧保护膜。所制备的修饰后的钙钛矿薄膜具有更低的非辐射复合损失，在环境空气中的稳定性也显著增强；所制备的优化后的全堆叠器件具有更加优异的功率转换效率。

公开(公告)号：CN119923172A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510388766.X

申请日：2025-03-31

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 周勤 ,  杨高元 ,  严文生 ,  宋稳君

IPC: H10K71/12 ,  C07C257/12 ,  C07C209/68 ,  C07C211/04 ,  H10K71/15 ,  H10K85/50 ,  H10K30/40

Abstract: 本发明公开了基于十三氟庚基环氧乙烷的空气中制备钙钛矿薄膜的方法，属于半导体技术领域。该方法首先配置PbI2前驱体溶液和机铵盐异丙醇溶液，然后向PbI2前驱体溶液中添加十三氟庚基环氧乙烷。采用两步顺序沉积法，在空气中制备钙钛矿薄膜，先旋涂添加了十三氟庚基环氧乙烷PbI2前驱体溶液，退火后得到高度层状面生长的PbI2薄膜，进一步在PbI2表面上旋涂有机铵盐溶液，通过固‑液反应退火形成钙钛矿薄膜。本方法制备的高质量钙钛矿薄膜内部PbI2残留量减少、晶粒明显增大、晶界减少。基于该方法所制备的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率也得到明显的提升，对于在空气中制备大面积钙钛矿太阳能电池具有一定的指导意义。