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公开(公告)号：CN115313001B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210907567.1
申请日：2022-07-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于IPD的小型化高带外抑制带通滤波器，包括基体层，金属层，金属层上形成的电路结构，其中所述带通滤波器电路结构包括所述输入端口和所述输出端口之间的m个片上变压器式滤波器,以及位于所述输入端口和片上变压器式滤波器间的n1个LC谐振器、位于所述输出端口和片上变压器式滤波器间的n2个LC谐振器，采用特定的紧凑结构和薄膜无源集成技术实现尺寸小、损耗低、带外抑制好、成本低的无源带通滤波器。采用包含变压器、电容电感组成谐振器的拓扑结构能解决带内损耗高的问题，同时增加了高次模零点加强带外抑制，并且较大地减少芯片尺寸，易于集成。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN115865028A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211701909.0
申请日：2022-12-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开基于高阻硅工艺级联T型零点结构的紧凑型带通滤波器。在基于IPD技术高阻硅工艺的基础上，设计了一个基于高阻硅工艺级联T型零点结构的紧凑型带通滤波器，是基于传统滤波器的基础上级联了一种可以产生可控宽频带高抑制传输零点的T型零点结构，提升了滤波器的高频处的阻带宽度和抑制性能。此外，所采用的电感均为正八边形线宽渐变的形式，这种形式的电感相对于普通电感损耗更低，性能更好。本发明IPD带通滤波器工作于3.3GHz～4.2GHz频段，通过采取IPD技术高阻硅工艺达到面积紧凑的效果，相比未级联T型零点结构的传统滤波器在高频处具有更宽的阻带和更好的带外抑制。
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公开(公告)号：CN115863997A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211650771.6
申请日：2022-12-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开由双单元子阵与解耦中和线构成的高隔离度贴片天线阵列，主要用于降低MIMO天线阵列中由于双单元子阵之间距离过近所导致的两个端口间的互耦。本发明包括两个双单元天线阵列与接地面，其中每组阵列包括两个天线单元。通过在两个双单元天线阵列的馈电口处通过间隙耦合的方式连接中和线使隔离度(S21
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公开(公告)号：CN116366019A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310359833.6
申请日：2023-04-06
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种高选择性和宽阻带的变压器型带通滤波器。以一个变压器及其附属电容构成一个变压器系统，以此变压器系统为基础，在其后级联三阶高通滤波器和四阶低通滤波器。滤波器通带上边带共有两个带外传输零点，由变压器系统产生并主要受变压器系统各元件尺寸控制，下边带传输零点由并联LC谐振器产生并受LC谐振器尺寸控制。在上下边带的传输零点共同作用下，实现滤波器的高选择性和宽阻带的性能。本发明IPD带通滤波器工作于3.3～4.2GHz频段，通过采取IPD技术高阻硅工艺达到面积紧凑的效果，特点有5.85～25GHz抑制为30dB以上的超宽阻带、局部高达50dB以上的高带外抑制、低回波以及合适的通带插损。
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公开(公告)号：CN115313001A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210907567.1
申请日：2022-07-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于IPD的小型化高带外抑制带通滤波器，包括基体层，金属层，金属层上形成的电路结构，其中所述带通滤波器电路结构包括所述输入端口和所述输出端口之间的m个片上变压器式滤波器,以及位于所述输入端口和片上变压器式滤波器间的n1个LC谐振器、位于所述输出端口和片上变压器式滤波器间的n2个LC谐振器，采用特定的紧凑结构和薄膜无源集成技术实现尺寸小、损耗低、带外抑制好、成本低的无源带通滤波器。采用包含变压器、电容电感组成谐振器的拓扑结构能解决带内损耗高的问题，同时增加了高次模零点加强带外抑制，并且较大地减少芯片尺寸，易于集成。
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