公开(公告)号：CN115313001A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210907567.1

申请日：2022-07-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王高峰 ,  任启翔 ,  曹芽子 ,  齐延铸 ,  曹宇晗 ,  许明昭

IPC: H01P1/20 ,  H01P1/212

Abstract: 本发明公开一种基于IPD的小型化高带外抑制带通滤波器，包括基体层，金属层，金属层上形成的电路结构，其中所述带通滤波器电路结构包括所述输入端口和所述输出端口之间的m个片上变压器式滤波器,以及位于所述输入端口和片上变压器式滤波器间的n1个LC谐振器、位于所述输出端口和片上变压器式滤波器间的n2个LC谐振器，采用特定的紧凑结构和薄膜无源集成技术实现尺寸小、损耗低、带外抑制好、成本低的无源带通滤波器。采用包含变压器、电容电感组成谐振器的拓扑结构能解决带内损耗高的问题，同时增加了高次模零点加强带外抑制，并且较大地减少芯片尺寸，易于集成。

公开(公告)号：CN115913160A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211485014.8

申请日：2022-11-24

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 许明昭 ,  王高峰 ,  曹芽子 ,  齐延铸 ,  任启翔 ,  曹宇晗

IPC: H03H7/01

Abstract: 本发明公开一种基于IPD技术的小型化高带外抑制的带通滤波器。主要包括主体电路、输入输出端口；所述主体电路包括第一串联电容、第一并联电感、第一串联电感、第二串联电容、第三串联电容9、第四串联电容、第五串联电容、零点调控部件；采用多零点的控制电路，在低边带和高边带加入一个零点，提升低频和高频的带外抑制，减少谐波干扰。

公开(公告)号：CN115313001B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202210907567.1

申请日：2022-07-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王高峰 ,  任启翔 ,  曹芽子 ,  齐延铸 ,  曹宇晗 ,  许明昭

IPC: H01P1/20 ,  H01P1/212

Abstract: 本发明公开一种基于IPD的小型化高带外抑制带通滤波器，包括基体层，金属层，金属层上形成的电路结构，其中所述带通滤波器电路结构包括所述输入端口和所述输出端口之间的m个片上变压器式滤波器,以及位于所述输入端口和片上变压器式滤波器间的n1个LC谐振器、位于所述输出端口和片上变压器式滤波器间的n2个LC谐振器，采用特定的紧凑结构和薄膜无源集成技术实现尺寸小、损耗低、带外抑制好、成本低的无源带通滤波器。采用包含变压器、电容电感组成谐振器的拓扑结构能解决带内损耗高的问题，同时增加了高次模零点加强带外抑制，并且较大地减少芯片尺寸，易于集成。