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公开(公告)号：CN106847648B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201710116167.8
申请日：2017-03-01
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于真空微电子和显示技术领域，具体涉及一种场发射用石墨烯/氧化锌/石墨烯三明治结构的复合阴极材料的制备方法，包括以下步骤：S10，以氧化石墨烯粉末为原料，在单晶硅衬底上利用静电喷雾沉积技术沉积一层石墨烯薄膜；S20，在石墨烯薄膜表面利用频射磁控溅射技术溅射一层ZnO薄膜作为籽晶，以锌盐和六亚甲基四胺为原料，水热生长ZnO纳米针阵列，得到硅衬底上石墨烯/ZnO纳米针阵列复合材料；S30，利用静电喷雾沉积技术在ZnO表面沉积一层石墨烯，制得具有三明治结构的石墨烯/氧化锌/石墨烯复合阴极材料。本发明的制备工艺可操作性强，设备要求不高，成本较低，可进行大面积快速制备，有望与大规模生产工艺兼容，得到的场发射用石墨烯/氧化锌/石墨烯三明治结构的复合阴极材料场发射开启场强较低且发射性能稳定。
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公开(公告)号：CN106847648A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710116167.8
申请日：2017-03-01
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于真空微电子和显示技术领域，具体涉及一种场发射用石墨烯/氧化锌/石墨烯三明治结构的复合阴极材料的制备方法，包括以下步骤：S10，以氧化石墨烯粉末为原料，在单晶硅衬底上利用静电喷雾沉积技术沉积一层石墨烯薄膜；S20，在石墨烯薄膜表面利用频射磁控溅射技术溅射一层ZnO薄膜作为籽晶，以锌盐和六亚甲基四胺为原料，水热生长ZnO纳米针阵列，得到硅衬底上石墨烯/ZnO纳米针阵列复合材料；S30，利用静电喷雾沉积技术在ZnO表面沉积一层石墨烯，制得具有三明治结构的石墨烯/氧化锌/石墨烯复合阴极材料。本发明的制备工艺可操作性强，设备要求不高，成本较低，可进行大面积快速制备，有望与大规模生产工艺兼容，得到的场发射用石墨烯/氧化锌/石墨烯三明治结构的复合阴极材料场发射开启场强较低且发射性能稳定。
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