公开(公告)号：CN107010956B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201710333035.0

申请日：2017-05-12

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 宋开新 ,  宋建冰 ,  魏金生 ,  尹海清 ,  徐军明 ,  武军 ,  高慧芳

IPC: C04B35/505

Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，原料成分为Y2O3、SiO2、MgO和Al2O3，所述原料成分以Y3MgAl3SiO12(YMAS)化学计量比进行配比，本发明采用传统的高温固相反应法，制备方法简单，生产成本较低，在不同烧结温度下制备得到的微波介质陶瓷材料有着优秀的微波介电性能，该微波介质陶瓷材料具有低介电常数(5.7～10.7)，属于低介电陶瓷体系，该微波介质陶瓷材料有较高的品质因数57337GHz，较小的温度系数‑28ppm/℃～‑40ppm/℃。

公开(公告)号：CN107010956A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710333035.0

申请日：2017-05-12

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 宋开新 ,  宋建冰 ,  魏金生 ,  尹海清 ,  徐军明 ,  武军 ,  高慧芳

IPC: C04B35/505

Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，原料成分为Y2O3、SiO2、MgO和Al2O3，所述原料成分以Y3MgAl3SiO12(YMAS)化学计量比进行配比，本发明采用传统的高温固相反应法，制备方法简单，生产成本较低，在不同烧结温度下制备得到的微波介质陶瓷材料有着优秀的微波介电性能，该微波介质陶瓷材料具有低介电常数(5.7～10.7)，属于低介电陶瓷体系，该微波介质陶瓷材料有较高的品质因数57337GHz，较小的温度系数‑28ppm/℃～‑40ppm/℃。