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公开(公告)号：CN110373714B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910477527.6
申请日：2019-06-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及石墨烯制备领域，尤其涉及一种在室温下快速制备大尺寸高品质单层石墨烯的方法。包括以下步骤：（S.1）基底准备：将磨砂玻璃经过清洗后烘干，并在表面均匀旋涂一层液相基底；（S.2）沉积生长：将涂有液相基底的磨砂玻璃固定于碳靶上方的样品台上，室温下抽真空后使用脉冲激光轰击碳靶，将碳原子沉积于液相基底上，沉积结束后继续在真空腔中放置一定时间，得到表面含有单层石墨烯的样品；（S.3）转移：将样品表面的单层石墨烯转移至洁净的目标衬底表面。本发明克服了现有单层石墨烯制备技术中制备温度较高且耗时长等缺陷，具有制备温度低、耗时短、无需催化剂以及易转移等优点，在室温下即可制备大尺寸高品质单层石墨烯。
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公开(公告)号：CN110373714A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910477527.6
申请日：2019-06-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及石墨烯制备领域，尤其涉及一种在室温下快速制备大尺寸高品质单层石墨烯的方法。包括以下步骤：（S.1）基底准备：将磨砂玻璃经过清洗后烘干，并在表面均匀旋涂一层液相基底；（S.2）沉积生长：将涂有液相基底的磨砂玻璃固定于碳靶上方的样品台上，室温下抽真空后使用脉冲激光轰击碳靶，将碳原子沉积于液相基底上，沉积结束后继续在真空腔中放置一定时间，得到表面含有单层石墨烯的样品；（S.3）转移：将样品表面的单层石墨烯转移至洁净的目标衬底表面。本发明克服了现有单层石墨烯制备技术中制备温度较高且耗时长等缺陷，具有制备温度低、耗时短、无需催化剂以及易转移等优点，在室温下即可制备大尺寸高品质单层石墨烯。
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