公开(公告)号：CN101436455A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810163443.7

申请日：2008-12-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  毛启楠 ,  冯丹丹

IPC: H01C7/10 ,  H01C7/108

Abstract: 本发明公开了一种基于镍锌氧化物薄膜的低压压敏电阻器，它主要由绝缘衬底、金属薄膜下电极、镍锌氧化物薄膜和金属薄膜上电极组成。其中，镍锌氧化物薄膜的分子式为NixZn1－xO，x的取值范围为0.01－0.33。利用本发明可以制作阈值电压处于3.3－4.45伏之间的低压压敏电阻器。当镍锌氧化物NixZn1－xO中的x的范围为0.01－0.33之间时，相应的压敏电阻器的阈值电压与镍含量有简单的线性关系，因此在制作低压压敏电阻器时可以通过控制镍含量x即可控制压敏电阻器的阈值电压，由此解决了制作低压压敏电阻器时阈值电压不能任意设定的不足。

公开(公告)号：CN101436454A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810163442.2

申请日：2008-12-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  毛启楠 ,  冯丹丹

IPC: H01C7/10 ,  H01C7/108

Abstract: 本发明公开了一种基于镁锌氧化物薄膜的低压压敏电阻器，它主要由绝缘衬底、金属薄膜下电极、镁锌氧化物薄膜和金属薄膜上电极组成。其中，所述镁锌氧化物薄膜为高度c轴取向的晶体薄膜，它的分子式为MgxZn1－xO，x的取值范围为0.01～0.50；利用本发明可以制作阈值电压处于3.3－5.3伏之间的低压压敏电阻器；当镁锌氧化物MgxZn1－xO中的x的范围为0.01－0.50之间时，相应的压敏电阻器的阈值电压与镁含量有简单的线性关系，因此在制作低压压敏电阻器时可以通过控制镁含量x来控制压敏电阻器的阈值电压，由此解决了制作低压压敏电阻器时阈值电压不能任意设定的不足。