一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层薄膜及制备方法

    公开(公告)号:CN110047948A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910160461.8

    申请日:2019-03-04

    Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层薄膜及制备方法,本发明为含氧硫化锌多晶薄膜,其分子式是ZnxSyOz,其中x=y+z;ZnxSyOz具有六方纤锌矿晶型结构;本发明制备得到的含氧硫化锌ZnxSyOz(x=y+z)薄膜不仅消除了含镉缓冲层存在的环境污染隐患,而且带隙宽,与吸收层可以有更好的匹配,可以拓宽电池对太阳光谱的响应范围可以成为一种较为理想的替代CdS缓冲层薄膜的材料。本发明的可见光区透射率可达80%以上,薄膜的光学带隙宽度在3.0~3.8eV之间可调。

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