-
公开(公告)号:CN101752356B
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN200910253116.5
申请日:2009-11-30
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor: 西浦彰
IPC: H01L25/00 , H01L25/07 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/3735 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K7/20927 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明的半导体芯片的冷却装置包括形成在金属基部(11)与其附连有安装半导体芯片(16)的绝缘基板(17)的表面相反的相反表面上的散热片(12)。散热片(12)由具有不同长度的薄板形散热片(12a)形成并布置成使薄板形散热片(12a)的表面积密度沿冷却剂流动方向变高,其中表面积密度是在金属基部(11)单位表面积上的散热片(12)的总表面积。尽管当由各半导体芯片(16)产生的热量相同且各散热片(12)的冷却效率相同时,冷却剂温度和半导体芯片(16)的温度容易沿冷却剂流动方向变得越来越高,然而可通过使冷却效率沿冷却剂流动方向越来越高来阻止这种趋势发生。结果,沿冷却剂流动方向布置的半导体芯片(16)的温度彼此接近。
-