公开(公告)号：CN100369117C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN02158961.5

申请日：2002-12-31

Applicant: 有研稀土新材料股份有限公司

Inventor： 于敦波 ,  严辉 ,  张深根 ,  朱满康 ,  颜世宏 ,  杨红川 ,  王波 ,  徐静 ,  应启明 ,  张国成

IPC: G11B5/39 ,  H01L43/08 ,  G11C11/15

Abstract: 本发明涉及一种氧化物巨磁电阻自旋阀。属于材料制造、传感及磁存储技术领域。本发明所涉及的自旋阀至少由四层薄膜组成，依次是反铁磁层、钉扎层、隔离层、自由层；各层材料均为氧化物。其制备工艺为溅射法或溶胶-凝胶法或脉冲激光沉积法，本发明所涉及的氧化物巨磁电阻自旋阀在磁场作用下，其电阻率明显降低，具有饱和场低，磁场灵敏度高等优点。特别适合于制备高灵敏度的传感器和磁存储器件。

公开(公告)号：CN102693828A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210212151.4

申请日：2012-06-21

Applicant: 北京有色金属研究总院 ,  有研稀土新材料股份有限公司

Inventor： 闫文龙 ,  于敦波 ,  李扩社 ,  汪浩 ,  袁永强 ,  李红卫 ,  严辉 ,  李世鹏 ,  罗阳

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/057 ,  C22C1/04

Abstract: 本发明提供一种Nd-Fe-B永磁体的制备工艺及其制备的磁体，属于磁性功能材料及制备技术领域。该制备工艺的具体步骤为：通过化学浴沉积法使RbX3薄膜生长在磁体表面，然后通过一级热处理使磁体表面所镀的RbX3薄膜中的元素扩散到磁体内部，再通过二级热处理使元素Rb均匀的分布在晶界处且消除一级热处理使磁体中带来的不平衡组织及内应力，制备的磁体的化学式为RaRbXFeMB。本发明的优点是将化学浴方法用于制备钕铁硼磁体，可以提高生产效率，降低磁体制备过程中重稀土用量，同时在不降低磁体剩磁和磁能积的情况下获得高矫顽力。

公开(公告)号：CN102768854B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210212556.8

申请日：2012-06-21

Applicant: 有研稀土新材料股份有限公司

Inventor： 李扩社 ,  胡权霞 ,  彭海军 ,  张洪滨 ,  李红卫 ,  于敦波 ,  谢佳君 ,  李廷先 ,  严辉

IPC: G11C13/02 ,  H01L43/00 ,  H01L43/12

Abstract: 一种磁电复合多态存储器单元及其制备方法，包括在衬底上依次沉积底电极、铁电层和顶电极，所述底电极为铁磁层，所述顶电极为铁磁层或材料为Ag、Au、Pt、Cu或Al的薄膜层；该铁磁层的材料为La1-xSrxMnMyO3，其中0.15≤x≤0.5，0≤y≤0.1，M为Ag、Bi、Cu、Co、Ni和Sc元素中的至少一种；铁电层的材料为BaTiO3；铁磁层与铁电层的材料均具有(110)取向；所述铁磁层与铁电层的厚度比为0.1-20。本发明的磁电复合多态存储器单元铁磁、铁电两相结构匹配及界面耦合性较好、成分控制容易、制备工艺简单，不仅实现了数据的多态存储功能，而且具有存储数据非易失性、数据读取简单、速度快，与传统半导体工艺兼容性较好等优点。

公开(公告)号：CN102693828B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210212151.4

申请日：2012-06-21

Applicant: 有研稀土新材料股份有限公司

Inventor： 闫文龙 ,  于敦波 ,  李扩社 ,  汪浩 ,  袁永强 ,  李红卫 ,  严辉 ,  李世鹏 ,  罗阳

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/057 ,  C22C1/04

Abstract: 本发明提供一种Nd-Fe-B永磁体的制备工艺及其制备的磁体，属于磁性功能材料及制备技术领域。该制备工艺的具体步骤为：通过化学浴沉积法使RbX3薄膜生长在磁体表面，然后通过一级热处理使磁体表面所镀的RbX3薄膜中的元素扩散到磁体内部，再通过二级热处理使元素Rb均匀的分布在晶界处且消除一级热处理使磁体中带来的不平衡组织及内应力，制备的磁体的化学式为RaRbXFeMB。本发明的优点是将化学浴方法用于制备钕铁硼磁体，可以提高生产效率，降低磁体制备过程中重稀土用量，同时在不降低磁体剩磁和磁能积的情况下获得高矫顽力。

公开(公告)号：CN102768854A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210212556.8

申请日：2012-06-21

Applicant: 北京有色金属研究总院 ,  有研稀土新材料股份有限公司

Inventor： 李扩社 ,  胡权霞 ,  彭海军 ,  张洪滨 ,  李红卫 ,  于敦波 ,  谢佳君 ,  李廷先 ,  严辉

IPC: G11C13/02 ,  H01L43/00 ,  H01L43/12

Abstract: 一种磁电复合多态存储器单元及其制备方法，包括在衬底上依次沉积底电极、铁电层和顶电极，所述底电极为铁磁层，所述顶电极为铁磁层或材料为Ag、Au、Pt、Cu或Al的薄膜层；该铁磁层的材料为La1-xSrxMnMyO3，其中0.15≤x≤0.5，0≤y≤0.1，M为Ag、Bi、Cu、Co、Ni和Sc元素中的至少一种；铁电层的材料为BaTiO3；铁磁层与铁电层的材料均具有(110)取向；所述铁磁层与铁电层的厚度比为0.1-20。本发明的磁电复合多态存储器单元铁磁、铁电两相结构匹配及界面耦合性较好、成分控制容易、制备工艺简单，不仅实现了数据的多态存储功能，而且具有存储数据非易失性、数据读取简单、速度快，与传统半导体工艺兼容性较好等优点。

公开(公告)号：CN1512603A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN02158961.5

申请日：2002-12-31

Applicant: 有研稀土新材料股份有限公司

Inventor： 于敦波 ,  严辉 ,  张深根 ,  朱满康 ,  颜世宏 ,  杨红川 ,  王波 ,  徐静 ,  应启明 ,  张国成

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/15 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明涉及一种氧化物巨磁电阻自旋阀、制备方法及其用途。属于材料制造、传感及磁存储技术领域。本发明所涉及的自旋阀至少由四层薄膜组成，依次是反铁磁层、钉扎层、隔离层、自由层；各层材料均为氧化物。其制备工艺为溅射法或溶胶－凝胶法或脉冲激光沉积法，本发明所涉及的氧化物巨磁电阻自旋阀在磁场作用下，其电阻率明显降低，具有饱和场低，磁场灵敏度高等优点。特别适合于制备高灵敏度的传感器和磁存储器件。