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公开(公告)号：CN107483012B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201710858052.6
申请日：2017-09-21
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明为基于电压电流的光伏阵列故障检测装置与方法，其中装置包括至少一个主机与多个从机，光伏组件的每条串联支路上设有一个电流传感器和多个电压传感器，每条串联支路上的光伏组件以检测分辨率为单位被分为若干组，相邻四组光伏组件构成最小电压检测模型；在每个最小电压检测模型设置三个电压传感器和一个继电器以检测四组光伏组件串联后两端的电压；设置在每条串联支路上的电压传感器通过所述从机连接至所述主机，继电器的控制端与所述从机连接；设置在每条串联支路上的电流传感器与所述主机连接。本发明采用电压传感器复用技术，在复用处设置继电器，避免了检测盲区，简化了计算过程，能够用较少的传感器检测出故障位置。
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公开(公告)号：CN107425088A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710857818.9
申请日：2017-09-21
IPC: H01L31/077 , H01L31/0336
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/077 , H01L31/0336
Abstract: 本发明公开了一种新型的异质结太阳电池，包括背电极层、位于背电极层之上的P层、位于P层之上的窗口层，所述窗口层为掺杂了Al的ZnO薄膜；掺杂了Al的ZnO薄膜与P层形成PN结。本发明将透明导电氧化层与N型窗口层合二为一，形成NIP型异质结太阳电池，通过在单晶硅上用不同带隙的材料制备而成异质结，提高了太阳电池的效率，增加了太阳能的利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107483012A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710858052.6
申请日：2017-09-21
IPC: H02S50/10
CPC classification number: H02S50/10
Abstract: 本发明为基于电压电流的光伏阵列故障检测装置与方法，其中装置包括至少一个主机与多个从机，光伏组件的每条串联支路上设有一个电流传感器和多个电压传感器，每条串联支路上的光伏组件以检测分辨率为单位被分为若干组，相邻四组光伏组件构成最小电压检测模型；在每个最小电压检测模型设置三个电压传感器和一个继电器以检测四组光伏组件串联后两端的电压；设置在每条串联支路上的电压传感器通过所述从机连接至所述主机，继电器的控制端与所述从机连接；设置在每条串联支路上的电流传感器与所述主机连接。本发明采用电压传感器复用技术，在复用处设置继电器，避免了检测盲区，简化了计算过程，能够用较少的传感器检测出故障位置。
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公开(公告)号：CN207458972U
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201721213356.9
申请日：2017-09-21
IPC: H01L31/077 , H01L31/0336
Abstract: 本实用新型公开了一种新型的异质结太阳电池，包括背电极层、位于背电极层之上的P层、位于P层之上的窗口层，所述窗口层为掺杂了Al的ZnO薄膜；掺杂了Al的ZnO薄膜与P层形成PN结。本实用新型将透明导电氧化层与N型窗口层合二为一，形成NIP型异质结太阳电池，通过在单晶硅上用不同带隙的材料制备而成异质结，提高了太阳电池的效率，增加了太阳能的利用率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207234734U
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201721213726.9
申请日：2017-09-21
IPC: H02S50/10
Abstract: 本实用新型为基于电压电流的光伏阵列故障检测装置，包括至少一个主机与多个从机，光伏组件的每条串联支路上设有一个电流传感器和多个电压传感器，每条串联支路上的光伏组件以检测分辨率为单位被分为若干组，相邻四组光伏组件构成最小电压检测模型；在每个最小电压检测模型设置三个电压传感器和一个继电器以检测四组光伏组件串联后两端的电压；设置在每条串联支路上的电压传感器通过所述从机连接至所述主机，继电器的控制端与所述从机连接；设置在每条串联支路上的电流传感器与所述主机连接。本实用新型采用电压传感器复用技术，在复用处设置继电器，避免了检测盲区，简化了计算过程，能够用较少的传感器检测出故障位置。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN109709737A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910144105.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 暨南大学 , 广东谛思纳为新材料科技有限公司
Abstract: 本发明属于电致变色无机薄膜技术，为电致变色薄膜的制作方法，步骤如下：洗净的透明导电材料置于磁控溅射腔室内，控制好溅射腔室的参数，控制好分子泵与真空溅射腔室之间的打通角度；对第一层膜生长的金属靶材进行预溅射处理，打开基片挡板进行第一层膜的溅射生长处理，控制溅射功率和时间，让第一层膜涨到合适厚度；在第一层无机电致变色薄膜的基础上进行第二层膜生长，对第二层膜溅射的金属靶材进行预溅射处理，控制让第二层膜涨到合适的厚度。本发明利用磁控溅射的方法，在第一层电致变色薄膜基础上涨一层具有电致变色性能的保护膜或良好离子传导能力的保护膜，以获得新型结构的电致变色薄膜，有效提高了单膜电致变色薄膜的电致变色性能。
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公开(公告)号：CN109709737B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910144105.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 暨南大学 , 广东谛思纳为新材料科技有限公司
Abstract: 本发明属于电致变色无机薄膜技术，为电致变色薄膜的制作方法，步骤如下：洗净的透明导电材料置于磁控溅射腔室内，控制好溅射腔室的参数，控制好分子泵与真空溅射腔室之间的打通角度；对第一层膜生长的金属靶材进行预溅射处理，打开基片挡板进行第一层膜的溅射生长处理，控制溅射功率和时间，让第一层膜涨到合适厚度；在第一层无机电致变色薄膜的基础上进行第二层膜生长，对第二层膜溅射的金属靶材进行预溅射处理，控制让第二层膜涨到合适的厚度。本发明利用磁控溅射的方法，在第一层电致变色薄膜基础上涨一层具有电致变色性能的保护膜或良好离子传导能力的保护膜，以获得新型结构的电致变色薄膜，有效提高了单膜电致变色薄膜的电致变色性能。
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