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公开(公告)号:CN117165916A
公开(公告)日:2023-12-05
申请号:CN202310936145.1
申请日:2023-07-27
Applicant: 暨南大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/02 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/16 , C23C14/04 , C23C14/24 , C23C14/30 , C23C14/32
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域,具体涉及一种图案化二维硫化物/硒化物的阵列化制备方法及其应用。本发明提供了一种成核和生长分开来合成阵列化二维材料的有效方法,该方法利用光刻技术图案化和阵列化版图,通过镀膜技术精准控制材料的成核位点,为后续阵列化二维材料的生长提供诱导源,从而获得了高质量图案化二维材料的阵列生长;该方法不仅操作流程简单而且能够得到无污染、无损坏的阵列化生长的二维材料,在电子器件集成化或微型化中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN116924354A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202310861159.1
申请日:2023-07-14
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明提供了一种二维材料的剥离和转移制备方法,涉及二维材料制备技术领域。本发明将二维材料的单晶块体黏附在胶带上,将黏附有单晶块体的胶带进行对粘,得到黏附二维材料的胶带;将所述黏附二维材料的胶带进行加热;将加热的胶带平整黏附在置于载玻片上的PDMS薄膜上,将胶带撕下,二维材料被转移至载玻片的PDMS薄膜上,得到带有二维材料的载玻片;将所述带有二维材料的载玻片快速压制在衬底上,使PDMS薄膜与衬底紧密贴合,待二维材料黏附在衬底后,缓慢抬起载玻片,使PDMS薄膜与衬底分离,二维材料被转移至衬底上。本发明实现了高产量、高效率和高平整度二维材料转移的制备。
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