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公开(公告)号：CN109402565A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811181208.2
申请日：2018-10-11
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镍薄膜的生长方法，该方法在实际生长氧化镍薄膜之前，先通过设定恒定功率模式，通过逐步增加氧气的流量监测靶电压或阴极电压值，从而获得靶电压或阴极电压随含氧气体流量变化的沉积曲线，根据所述曲线选定所述氧化镍薄膜的溅射参数，进而进行氧化镍薄膜的生长，从而获得所述氧化镍薄膜。本发明的氧化镍薄膜生长方法能够根据沉积曲线预先精确选定实际所需的溅射沉积氧化镍薄膜的沉积参数，从而获得了特定性能的氧化镍薄膜，并且该方法生长的氧化镍薄膜用于光电器件中，其光电器件呈现出了优异的性能。
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