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公开(公告)号：CN101248530B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200680030694.7
申请日：2006-08-17
Applicant: 普廷数码影像控股公司
Inventor： 卡莱拉贾·钦纳维拉潘 , 洪圣国 , 李季苏 , 克里斯·S·洪
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14654 , H01L27/1463
Abstract: 一种用于使图像传感器内的暗校正像素与寄生电荷隔离的势垒。所述势垒包括衬底中的电连接到电压源端子的电荷吸收区域。所述电荷吸收区域完全包围像素阵列的暗校正区域。所述电荷吸收区域吸收由横向扩散、从硅衬底底部反射的近红外和红外光以及其它来源产生的载流子。此吸收区域防止载流子被吸收到暗校正像素单元中并导致图像校正失真效应。
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