公开(公告)号：CN111630213B

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN201880087282.X

申请日：2018-12-21

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 贵堂高德 ,  长屋正武 ,  鹰羽秀隆

IPC: C30B29/36 ,  B24B7/22 ,  C30B23/00 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的单晶4H‑SiC生长用籽晶是直径大于150mm，厚度为1mm以上且为所述直径的0.03倍以下的范围内的圆板状的单晶4H‑SiC生长用籽晶，生长单晶4H‑SiC的那一侧的面是镜面，另一侧的面的Ra大于10nm，并且自由变形从而内部应力分布降低了的状态下的波纹度大小的绝对值为12μm以下。

公开(公告)号：CN111630213A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201880087282.X

申请日：2018-12-21

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 贵堂高德 ,  长屋正武 ,  鹰羽秀隆

IPC: C30B29/36 ,  B24B7/22 ,  C30B23/00 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的单晶4H-SiC生长用籽晶是直径大于150mm，厚度为1mm以上且为所述直径的0.03倍以下的范围内的圆板状的单晶4H-SiC生长用籽晶，生长单晶4H-SiC的那一侧的面是镜面，另一侧的面的Ra大于10nm，并且自由变形从而内部应力分布降低了的状态下的波纹度大小的绝对值为12μm以下。

公开(公告)号：CN104981324A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201480008414.7

申请日：2014-02-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 贵堂高德 ,  加藤智久

IPC: B24B1/00 ,  B24D3/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/245 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/3212 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种单晶SiC基板的表面加工方法，将磨削板安装于磨削装置上，通过所述磨削板产生氧化生成物，一边除去该氧化生成物一边进行表面的磨削，所述磨削板是在具有平坦面的基体件上依次贴附有软质垫、硬质垫的磨削板，在所述硬质垫的表面固定有磨粒，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。

公开(公告)号：CN104981324B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201480008414.7

申请日：2014-02-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 贵堂高德 ,  加藤智久

IPC: B24B1/00 ,  B24D3/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/245 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/3212 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种单晶SiC基板的表面加工方法，将磨削板安装于磨削装置上，通过所述磨削板产生氧化生成物，一边除去该氧化生成物一边进行表面的磨削，所述磨削板是在具有平坦面的基体件上依次贴附有软质垫、硬质垫的磨削板，在所述硬质垫的表面固定有磨粒，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。