公开(公告)号：CN110637109B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201880032744.8

申请日：2018-04-19

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/42

Abstract: 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。

公开(公告)号：CN110637109A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880032744.8

申请日：2018-04-19

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/42

Abstract: 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。

公开(公告)号：CN110192266A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201780082719.6

申请日：2017-12-25

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN108475635B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201680071748.8

申请日：2016-12-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 余佳 ,  石桥直人 ,  深田启介 ,  歌代智也 ,  渥美广范

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683

Abstract: 一种晶片支承机构，具备：晶片支承台；和由所述晶片支承台支承的可动部，所述晶片支承台具有运送用晶片支承部，所述运送用晶片支承部从所述晶片支承台的与所载置的晶片的背面对向的第1面立起，且设置在比所载置的晶片的外周端靠内侧的位置，所述可动部具有成膜用晶片支承部，且能够在所述运送用晶片支承部的立起方向上相对于所述晶片支承台相对地移动，所述成膜用晶片支承部位于比所述运送用晶片支承部靠所载置的晶片的外周侧的位置。

公开(公告)号：CN109841541A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811380345.9

申请日：2018-11-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 本山和道 ,  奥野好成 ,  梅田喜一 ,  深田启介

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置；以及圆环状的辐射构件，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置与所述基座的与所述载置面相对的背面接触，所述辐射构件的辐射率比所述基座高，从所述加热器观察时所述辐射构件的一部分露出。

公开(公告)号：CN109786211A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811266635.0

申请日：2018-10-29

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 石桥直人 ,  深田启介

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明的SiC外延晶片具备SiC单晶基板和位于所述SiC单晶基板的一面侧的载流子浓度变动层，所述载流子浓度变动层是高浓度层和低浓度层交替地层叠多层而成的，所述高浓度层的载流子浓度比相邻的层高，所述低浓度层的载流子浓度比相邻的层低。

公开(公告)号：CN114496724A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111324659.9

申请日：2021-11-10

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 石桥直人 ,  深田启介

IPC: H01L21/02 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及SiC外延晶片及其制造方法。本发明的目的在于提供高浓度层的n型掺杂浓度的面内均匀性高的SiC外延晶片。本发明的SiC外延晶片具备SiC单晶基板和设在所述SiC单晶基板上的高浓度层，所述高浓度层的n型掺杂浓度的平均值为1×1018/cm3以上且1×1019/cm3以下，并且掺杂浓度的面内均匀性的值为30％以下。

公开(公告)号：CN111286723A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201911226013.X

申请日：2019-12-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 马渊雄一郎 ,  深田启介

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供基座和化学气相沉积装置。该基座具备在第一面载置晶片的基体部，上述基体部具有，对上述晶片的背面供给氩气，且在厚度方向上贯通的多个开口部。

公开(公告)号：CN108475635A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680071748.8

申请日：2016-12-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 余佳 ,  石桥直人 ,  深田启介 ,  歌代智也 ,  渥美广范

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

Abstract: 一种晶片支承机构，具备：晶片支承台；和由所述晶片支承台支承的可动部，所述晶片支承台具有运送用晶片支承部，所述运送用晶片支承部从所述晶片支承台的与所载置的晶片的背面对向的第1面立起，且设置在比所载置的晶片的外周端靠内侧的位置，所述可动部具有成膜用晶片支承部，且能够在所述运送用晶片支承部的立起方向上相对于所述晶片支承台相对地移动，所述成膜用晶片支承部位于比所述运送用晶片支承部靠所载置的晶片的外周侧的位置。

公开(公告)号：CN109841542A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811380441.3

申请日：2018-11-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 本山和道 ,  奥野好成 ,  梅田喜一 ,  深田启介

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C30B29/36 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；和加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置，在与所述加热器的所述基座侧的第1面相对的所述基座的被辐射面形成有凹凸。