公开(公告)号：CN111286723A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201911226013.X

申请日：2019-12-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 马渊雄一郎 ,  深田启介

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供基座和化学气相沉积装置。该基座具备在第一面载置晶片的基体部，上述基体部具有，对上述晶片的背面供给氩气，且在厚度方向上贯通的多个开口部。

公开(公告)号：CN113053799A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011484053.7

申请日：2020-12-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 马渊雄一郎 ,  梅田喜一

IPC: H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种应用于圆盘状晶圆的表面处理的基座，其中，所述基座具有与所述圆盘状晶圆的背面接触从而对所述圆盘状晶圆的背面进行支撑的至少三个支撑部，所述支撑部设置于所述基座的凸区域，在与所述圆盘状晶圆平行的平面视图中，所述支撑部的面积与所述凸区域的面积之比为10％以下。