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公开(公告)号：CN110878423B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201910833016.3
申请日：2019-09-04
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 野口骏介
Abstract: 提供能够提高加热效率、并且同时实现坩埚温度的均匀性和坩埚温度的准确的测定，从而实现晶体的高品质化的晶体生长装置。一种晶体生长装置(1)，具备：热源(11)；坩埚(14)，其由能够接纳原料(A1)的容器主体(12)和能够安装晶种(B1)的盖部(13)构成；第1绝热部(16)，其外装于坩埚(14)，且设有在厚度方向贯通的第1贯通孔(15)；第2绝热部(18)，其外装于第1绝热部(16)，且设有在厚度方向贯通的第2贯通孔(17)；移动机构(19)，其使第1绝热部(16)和第2绝热部(18)相对移动；以及，辐射型测温部(20)，其经由第1贯通孔(15)和第2贯通孔(17)来测定坩埚(14)的温度。
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公开(公告)号：CN110735183A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910627951.4
申请日：2019-07-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 野口骏介
Abstract: 本发明涉及支持SiC的单晶生长用的晶种的基座、具备该基座的SiC单晶的制造装置和制造方法。本发明的目的是提供一种基座，在用粘结剂固定了晶种的状态下，能够除去从被加热了的粘结剂中产生的气体。本发明的基座(103)是晶体生长用的晶种(102)的基座(103)，粘结晶种(102)的一侧的主面(103a)是平坦的，且具有气体透过区域(106)，气体透过区域(106)是从一侧的主面(103a)起的厚度局部变薄地形成的。
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公开(公告)号：CN111348650A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911302029.4
申请日：2019-12-17
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 野口骏介
IPC: C01B32/914
Abstract: 本发明的碳化钽材的制造方法，将被一对石墨引导构件(2、3)夹持着的钽材(1)在含碳源的气体(4)的气氛下以1500℃以上、0.5小时以上的条件加热。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN110878423A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910833016.3
申请日：2019-09-04
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 野口骏介
Abstract: 提供能够提高加热效率、并且同时实现坩埚温度的均匀性和坩埚温度的准确的测定，从而实现晶体的高品质化的晶体生长装置。一种晶体生长装置(1)，具备：热源(11)；坩埚(14)，其由能够接纳原料(A1)的容器主体(12)和能够安装晶种(B1)的盖部(13)构成；第1绝热部(16)，其外装于坩埚(14)，且设有在厚度方向贯通的第1贯通孔(15)；第2绝热部(18)，其外装于第1绝热部(16)，且设有在厚度方向贯通的第2贯通孔(17)；移动机构(19)，其使第1绝热部(16)和第2绝热部(18)相对移动；以及，辐射型测温部(20)，其经由第1贯通孔(15)和第2贯通孔(17)来测定坩埚(14)的温度。
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公开(公告)号：CN109715868A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780057604.1
申请日：2017-07-31
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36 , C01B32/956 , C30B23/06
Abstract: 一种SiC单晶生长用坩埚，是在内部具有单晶设置部和原料设置部、且用于采用升华法得到SiC单晶的坩埚，所述坩埚的第1壁的透气度低于所述坩埚的第2壁的透气度，所述坩埚的第1壁包围第1区域的至少一部分，所述坩埚的第2壁包围第2区域的至少一部分，所述第1区域是以所述单晶设置部为基准而位于所述原料设置部侧的区域，所述第2区域是以所述单晶设置部为基准而位于与所述原料设置部相反侧的区域。
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