公开(公告)号：CN109863387B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201780065450.0

申请日：2017-11-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 野口骏介 ,  大矢信之

IPC: G01N21/27 ,  C30B23/06 ,  C30B29/36 ,  G01J3/50

Abstract: 一种碳化钽的评价方法，是根据色度来对碳化钽的碳化率进行评价的碳化钽的评价方法，作为一例，使用分光光度计或照相机来测定碳化钽的颜色，基于由L＊a＊b＊表色系而数值化了的该碳化钽的色度，对该碳化钽的碳化率进行评价。

公开(公告)号：CN109715868A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780057604.1

申请日：2017-07-31

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 野口骏介 ,  大矢信之

IPC: C30B29/36 ,  C01B32/956 ,  C30B23/06

Abstract: 一种SiC单晶生长用坩埚，是在内部具有单晶设置部和原料设置部、且用于采用升华法得到SiC单晶的坩埚，所述坩埚的第1壁的透气度低于所述坩埚的第2壁的透气度，所述坩埚的第1壁包围第1区域的至少一部分，所述坩埚的第2壁包围第2区域的至少一部分，所述第1区域是以所述单晶设置部为基准而位于所述原料设置部侧的区域，所述第2区域是以所述单晶设置部为基准而位于与所述原料设置部相反侧的区域。

公开(公告)号：CN109863387A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201780065450.0

申请日：2017-11-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 野口骏介 ,  大矢信之

IPC: G01N21/27 ,  C30B23/06 ,  C30B29/36 ,  G01J3/50

Abstract: 一种碳化钽的评价方法，是根据色度来对碳化钽的碳化率进行评价的碳化钽的评价方法，作为一例，使用分光光度计或照相机来测定碳化钽的颜色，基于由L＊a＊b＊表色系而数值化了的该碳化钽的色度，对该碳化钽的碳化率进行评价。