公开(公告)号：CN101778967A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200880102702.3

申请日：2008-08-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 天野浩 ,  坂东章

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/20 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的目的是提供抑制裂纹和位错的发生、使晶体品质提高的III族氮化物半导体外延基板即AlxGa1-xN(0≤x≤1)外延基板。尤其是提供适用于紫外或深紫外区域的发光元件的AlxGa1-xN(0＜x≤1)外延基板。本发明的III族氮化物半导体外延基板，其特征在于，包含基材和层叠于该基材上的AlxGa1-xN(0≤x≤1)层，在该AlxGa1-xN层的基材一侧存在具有-C极性的晶体和具有+C极性的晶体混杂的层。