公开(公告)号：CN111630641B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201880087166.8

申请日：2018-01-30

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 山崎智阳 ,  中村祐树 ,  桥本慎太郎 ,  菊地健太 ,  舛野大辅

IPC: H01L21/52 ,  C09J7/10 ,  C09J7/30 ,  C09J11/00 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  H01L21/50 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序：介由第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一芯片接合工序；在面积大于第一半导体元件的第二半导体元件的单面上粘贴150℃下的剪切弹性模量为1.5MPa以下的膜状粘接剂的层压工序；以及通过按照膜状粘接剂覆盖第一半导体元件的方式载置粘贴有膜状粘接剂的第二半导体元件，并对膜状粘接剂进行压接，从而将第一导线及第一半导体元件埋入膜状粘接剂中的第二芯片接合工序。

公开(公告)号：CN113261084A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201880100505.1

申请日：2018-12-28

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 矢羽田达也 ,  桥本慎太郎 ,  中村祐树 ,  舛野大辅

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明所涉及的半导体装置的制造方法包括：准备膜状黏合剂的工序，所述膜状黏合剂用于黏合半导体元件和安装该半导体元件的部件；及在上述部件的表面上层叠膜状黏合剂及半导体元件的状态下，对上述部件的表面压接半导体元件的工序，膜状黏合剂的表面自由能的值E1(mJ/m2)与上述部件的表面自由能的值E2(mJ/m2)之差的绝对值在6.0～10.0的范围内。

公开(公告)号：CN113348221A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201980090381.8

申请日：2019-01-28

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 桥本慎太郎 ,  矢羽田达也 ,  舛野大辅 ,  谷口纮平 ,  中村祐树

IPC: C09J163/00 ,  C09J7/35 ,  C09J11/04 ,  C09J133/02 ,  H01L21/301 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明公开一种胶黏剂组合物，其包含热固性树脂、固化剂及弹性体，热固性树脂包含具有脂环式环的环氧树脂，弹性体包含具有羧基的弹性体。并且，还公开一种使用这种胶黏剂组合物的膜状胶黏剂。还公开一种使用这种膜状胶黏剂的胶黏剂片及半导体装置的制造方法。