公开(公告)号：CN116657109A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310631607.9

申请日：2023-05-31

Applicant: 昆明贵金属研究所

Inventor： 闻明 ,  宁哲达 ,  王传军 ,  沈月 ,  许彦婷 ,  巢云秀 ,  李思勰 ,  施晨琦 ,  赵琪 ,  李治东

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C22C5/06

Abstract: 本发明公开了一种抗氧化性的磁控溅射银合金靶材及其制备方法、应用。所述磁控溅射银合金靶材，由Ag、Pt、In组成，其中Pt的质量百分比为0.1~3%，In的质量百分比为1~3.5%，其余为Ag。所得银合金靶材结构均匀，有效提高了其溅射利用率，在相同的溅射时间内体积损失更小，减少了靶材材料的浪费，节约成本，有效缩短了机加工时间，并提高实际生产过程中的经济效益。同时，所制备的银合金靶材在硅片上沉积得到的银合金膜在保证较低电阻率的同时相较于普通Ag薄膜有着更强的抗氧化能力。