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公开(公告)号：CN106350773A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610811258.9
申请日：2016-09-09
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种增大层状钴基氧化物薄膜高温热电势的方法，属于功能薄膜材料领域。其特征在于：通过脉冲激光沉积在c轴倾斜的单晶衬底上制备层状钴基氧化物外延薄膜，从而在薄膜倾斜方向上获得增大的高温热电势。本发明能显著提高层状钴基氧化物薄膜的高温热电势，且重复性好、易于实现。
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公开(公告)号：CN106350774B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610811259.3
申请日：2016-09-09
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明提供一种高温热电Sr3Co4O9薄膜电阻率的调控方法，属于功能薄膜材料领域。本发明所述方法通过脉冲激光沉积在不同角度倾斜的单晶衬底上生长沿c轴外延的Sr3Co4O9薄膜，通过单晶衬底的c轴倾斜角度调控外延薄膜沿倾斜方向的电阻率大小。本方法可反应出层状钴基氧化物材料的电输运各向异性。
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公开(公告)号：CN106350773B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610811258.9
申请日：2016-09-09
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种增大层状钴基氧化物薄膜高温热电势的方法，属于功能薄膜材料领域。其特征在于：通过脉冲激光沉积在c轴倾斜的单晶衬底上制备层状钴基氧化物外延薄膜，从而在薄膜倾斜方向上获得增大的高温热电势。本发明能显著提高层状钴基氧化物薄膜的高温热电势，且重复性好、易于实现。
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公开(公告)号：CN106350774A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610811259.3
申请日：2016-09-09
Applicant: 昆明理工大学
CPC classification number: C23C14/28 , C23C14/08 , C23C14/5806 , H01L35/34
Abstract: 本发明提供一种高温热电Sr3Co4O9薄膜电阻率的调控方法，属于功能薄膜材料领域。本发明所述方法通过脉冲激光沉积在不同角度倾斜的单晶衬底上生长沿c轴外延的Sr3Co4O9薄膜，通过单晶衬底的c轴倾斜角度调控外延薄膜沿倾斜方向的电阻率大小。本方法可反应出层状钴基氧化物材料的电输运各向异性。
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公开(公告)号：CN117070230A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311125326.2
申请日：2023-09-01
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种生物炭制备装置及其制备方法，涉及生物炭制备技术领域，装置包括炭化装置和冷却装置；炭化装置包括炉体外壳、抽换式炭化筒和炭化筒套，炭化筒套固定于炉体外壳内部，炭化筒套的内壁上设置有发热元件，抽换式炭化筒能够放入到炭化筒套内，抽换式炭化筒上固定有干馏烟气管，炭化装置内的底部设有大气式燃烧器，炭化工作时大气式燃烧器的进气口能够与干馏烟气管的出气端相连通；冷却装置包括喷嘴板、循环泵和蓄水池，喷嘴板内部为中空的喷水腔，喷嘴板的上设有喷水孔，循环泵的进水端与蓄水池和/或炭化筒放置台的集水腔相连通，循环泵出水端与喷嘴板相连通。本发明可以缩短抽换式炭化筒的冷却时间，以此来提高炭化活动的工作效率。
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