公开(公告)号：CN103290424A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310236790.9

申请日：2013-06-17

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 马文会 ,  谢江生 ,  魏奎先 ,  秦博 ,  邹鹏 ,  周阳 ,  谢克强 ,  伍继君 ,  刘永成 ,  戴永年

IPC: C25B1/00 ,  C01B31/30

Abstract: 本发明涉及一种TiC粉体的制备方法，属于熔盐电化学技术领域。将TiO2和碳按照摩尔比1：1～2.5混合均匀、压制成型并烧结后作为阴极，以石墨为阳极，将阴极和阳极放入温度为500℃～1000℃的金属化合物熔盐电解质中，在阴极和阳极之间施加电压进行电解，然后将阴极产物进行酸浸和过滤，最后将阴极产物在300～1000℃的条件下加热0～2h除碳，最终得到纳米或亚微米级的超细TiC粉体。本发明提提供了一种流程短、成本低、对环境友好的TiC粉体生产工艺新思路。

公开(公告)号：CN103232038A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310154570.1

申请日：2013-04-28

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 马文会 ,  谢江生 ,  魏奎先 ,  秦博 ,  伍继君 ,  谢克强 ,  周阳 ,  龙萍 ,  杨斌 ,  戴永年

IPC: C01B31/36 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种纳米碳化硅的制备方法，属于纳米材料技术领域。将纳米二氧化硅和炭质材料混合均匀，然后将混合物压制成片并烧结后作为阴极，以石墨为阳极，将阴极和阳极放入熔融的氯化物熔盐电解质中，在500℃～1000℃温度下，在阴极和阳极之间施加电压进行电解，将阴极制备得到的产物依次经过碱洗、水洗和干燥，最终得到高纯度的纳米SiC。该工艺具有流程短、能耗低，对环境友好等特点。