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公开(公告)号：CN120006135A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510215936.4
申请日：2025-02-26
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种原位生成AlN增强铝基材料及制备方法，目的是通过熔炼过程在铝基体中原位生成AlN，从而增强铝基材料的力学性能。本发明根据目标配方配料与称量、铝液的加热与熔炼、氮化物的加入与搅拌、原位反应生成AlN、定时搅拌、自然冷却等步骤，在750℃熔化铝并加入氮化物及添加剂，升温至870℃保温搅拌，使氮化物分解释放氮与铝原子反应生成氮化铝AlN和副产物，实现高效弥散增强，获得一种原位生成AlN增强铝基材料。本发明制备方法适用于2XXX、3XXX、5XXX、6XXX和部分7XXX系列铝合金，能够在铝基体中均匀分布AlN颗粒，提高氮化钒VN与铝的接触效率，形成均匀弥散的氮化铝AlN增强相，有效改善合金显微组织和性能，工艺简单易操作，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN118926332A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411248504.5
申请日：2024-09-06
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种可万向调节的高精度线材拉拔模座装置，主要包括半球形模座；固定模组；安装支架；滚珠；滚珠保持器；半球形曲面；半球形凹槽；安装孔；拉拔模具；球面支承；第一中央通孔；第二中央通孔。半球形模座的半球形曲面与固定模组的半球形凹槽对应；滚珠设置在半球形模座与固定模组之间，滚珠保持器容纳并固定滚珠，通过球面支承形成平稳旋转；通过安装支架与固定模组一体制造，以安装支架底部安装孔与主机架连接，确保整个拉拔模座装置的稳定性。本发明通过多个半球面结构和滚珠的配合运行，实现了拉拔模座装置的高精度万向调节，解决了传统拉拔设备中调节不精确、摩擦大、结构不稳固的问题，提高了线材拉拔的精度和生产效率。
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公开(公告)号：CN118123319A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410321916.0
申请日：2024-03-20
Applicant: 昆明理工大学
IPC: B23K35/26
Abstract: 本发明公开了一种高温锡基合金焊料，属于电子封装材料、电子材料制备技术领域。本发明所述锡基合金焊料由Sn、Cu、Pt和Al四种合金元素组成，各组分元素的质量百分比分别为Cu：0.7％，Pt：0.01～0.2％，Al：0.01～0.05％，余量为Sn；所述制备方法包括：将Sn、Cu、Pt和Al四种合金原料熔炼，然后随炉冷却至室温；然后将冷却后的试管翻转重熔，再重复该步骤两次；第三次重熔完成后将焊料随炉冷却到250℃取出空冷到室温得到高温锡基合金焊料。该发明制备的新型锡基无铅焊料可替代传统高温型Sn‑0.7Cu焊料，且具有较高硬度、良好的塑韧性、良好的热力学稳定性、焊接接点结合强度高、焊点表面光亮和使用寿命长等特点。
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公开(公告)号：CN110106465A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910322578.1
申请日：2019-04-22
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C23C8/68
Abstract: 本发明涉及一种高效制备钛硼层状复合材料的方法，属于钛硼层状复合材料技术领域。本发明在渗箱内壁设置相对的平行电极，平行电极外接交流电源；在渗箱内加入渗硼剂，再将预处理的钛或钛合金放置在平行电极之间且与电极平行，然后匀速加热至温度为600~900℃，通入交流电进行恒温渗硼处理5~20h，取出冷却至室温，再置于温度为90~100℃的热水中煮3~5min去除表面残留的渗硼剂和杂质即得钛硼层状复合材料。本发明方法与传统粉末法渗硼相比，在采用相同渗硼剂的条件下，获得同等渗硼层厚度所需的时间和温度都大幅降低，渗硼速率提高1~3倍，既可减少能耗和降低生产成本，又能有效地提升渗硼剂的利用率。
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公开(公告)号：CN105014075B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510444920.7
申请日：2015-07-27
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种铅铝硼核屏蔽复合材料及其制备方法，属有复合材料制备及应用技术领域；本发明所述方法包括硼粉的表面处理、挤压成型、保护气氛烧结、包铅处理。本发明制备的铅硼铝核屏蔽复合材料，具有含硼量高、屏蔽性能优异、界面结合强度高、力学性能好、使用温度范围广等优点；主要应用于核反应堆辐射屏蔽层等方面的材料，主要针对反应堆中γ射线和中子辐射屏蔽用复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102260812B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201110188443.4
申请日：2011-07-06
Applicant: 昆明理工大学 , 昆明理工峰潮科技有限公司
Abstract: 本发明属于具有X、γ射线以及中子综合屏蔽效果的镁基屏蔽材料，特别是轻质量、多种屏蔽效果的屏蔽材料。屏蔽材料的组成为：基体为镁基合金MgPbAl(Pb 20%～45%，Al 5%～20%，余量为Mg，质量百分比)，硼或硼化物为中子吸收体。屏蔽材料的组分配比为：镁基合金的质量百分比在90%～99.7%之间，硼或硼化物的质量百分比在0.3%～10%之间。相比于传统镁基材料、Pb/B4C以及铅硼聚乙烯复合材料，本发明的含硼或硼化物的镁基屏蔽材料不仅具有优异的屏蔽X、γ射线和中子综合屏蔽效果，而且其抗拉强度和布氏硬度远高于现有的Pb‑B聚乙烯和Pb‑B4C复合屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN102268582B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201110188833.1
申请日：2011-07-06
Applicant: 昆明理工大学 , 昆明理工峰潮科技有限公司
Abstract: 本发明属于具有X、γ射线以及中子综合屏蔽效果的铝基屏蔽材料，特别是高强度、轻质量、多种屏蔽效果的屏蔽材料。屏蔽材料的组成为：基体为铝基合金AlMgPb (Mg 15%～30%，Pb 15%～35%，余量为铝，质量百分比)，硼或硼化物为中子吸收体。屏蔽材料的组分配比为：铝基合金的质量百分比在90%～99.7%之间，硼或硼化物的质量百分比在0.3%～10%之间。相比于传统铝基材料、Pb/B4C以及铅硼聚乙烯复合材料，本发明的含硼或硼化物的铝基屏蔽材料不仅具有优异的屏蔽X、γ射线和中子综合屏蔽效果，而且其抗拉强度和布氏硬度远高于现有的Pb‑B聚乙烯和Pb‑B4C复合屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN103255360B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310156991.8
申请日：2013-05-02
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种低熔点金属基芳纶纤维复合材料及其制备方法，属于低熔点软金属基纤维增强复合材料的领域。复合材料的结构为低熔点金属基体中嵌入芳纶纤维，其中低熔点金属与芳纶纤维的体积比为95～97：5～3。采用强度高的芳纶纤维作为铅及铅合金的增强物质，将熔融的铅及铅合金渗透到表面金属化后的芳纶纤维中，制备出铅及铅合金基芳纶纤维复合材料。对于低熔点软金属作为基体的复合材料,使用与基体金属材料强度相差很大的纤维来增强，采用液体渗透方法,只用了较少的纤维体积百分比就能有效制备出有明显的增强效果的复合材料；本发明制得的低熔点金属基复合材料的抗拉强度可达150MPa。伸长率可达20%。
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公开(公告)号：CN102899890A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210425097.1
申请日：2012-10-31
Applicant: 昆明理工大学
IPC: D06M11/83 , D06M101/36
Abstract: 本发明属于纤维材料的表面金属化处理领域，具体是芳纶纤维表面的金属化处理方法。采用以次亚磷酸盐作为还原剂，金属盐作为主盐的镀液，通过化学镀方法在芳纶纤维表面沉积金属镀层。其表面金属化处理过程包括除油、粗化、敏化、活化、预镀、化学镀等步骤。本发明金属化处理方法可以在芳纶纤维表面镀覆一层均匀致密、无孔隙金属镀层，从而提高芳纶纤维的导电性、耐蚀性和使用寿命，亦可使芳纶纤维作为金属基复合材料的增强体，从而提高复合材料的力学性能。
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公开(公告)号：CN102866048A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210368522.8
申请日：2012-09-28
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明提供一种Ti-Cu层状复合材料金相显示样品的制备方法，经过截取及处理样品、用胶粘剂将聚四氟乙烯材料粘接在整个处理后的Ti-Cu层状复合材料表面、从粗、中到细逐步进行磨制需要显示组织的表面、用抛光布粗抛光、再进行细抛光，并侵蚀液处理，经吹干即得到Ti-Cu层状复合材料的金相显示样品。本发明采取有机械线切割方法截取试样、多道磨制、金相抛光等工序结合，并优选两种侵蚀液，解决了传统抛光膏中硬质颗粒污染、划伤表面的缺陷，制备出的试样可供金相观察及扫描电镜显微组织观察，其方法简便，且能有效地显示了Ti-Cu层状复合材料结合界面的显微组织，样品清晰度高。
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