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公开(公告)号：CN113998700A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111186709.1
申请日：2021-10-12
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B32/984 , C01B33/02 , C01B32/05 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开一种以微硅粉为原料制备Si/SiC@C负极材料的方法，所述方法为：将微硅粉进行酸洗后，与镁粉进行球磨混料，深度还原，浅度氧化后，经酸洗、离心和干燥得到多孔Si/SiC。将所制备的样品在与有机物前驱体混合均匀后干燥，经碳化得到Si/SiC@C复合材料；本发明制备的多孔硅复合材料，碳化硅和碳壳的存在不仅有效的减缓了硅在电化学循环过程中体积膨胀，也缩短了锂离子脱嵌扩散的距离；多孔结构也为电化学循环过程锂离子提供了更多的活性位点，表现出了优异的电化学性能。
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公开(公告)号：CN113998702B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111189612.6
申请日：2021-10-13
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种以微硅粉为原料制备Si/C负极材料的方法，所述方法为：将微硅粉进行酸洗后，进行球磨后与有机物前驱体混合干燥经碳化得到SiO2/C复合材料，经低温镁热还原后，经酸洗、离心和干燥得到多孔Si/C复合材料。本发明制备的多孔硅复合材料，不仅采用了先进行包碳后还原的思路，同时采用了250℃低温进行反应，没有副产物产生，碳壳阻碍了镁热还原过程中Si颗粒的团聚现象。
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公开(公告)号：CN113998702A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111189612.6
申请日：2021-10-13
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种以微硅粉为原料制备Si/C负极材料的方法，所述方法为：将微硅粉进行酸洗后，进行球磨后与有机物前驱体混合干燥经碳化得到SiO2/C复合材料，经低温镁热还原后，经酸洗、离心和干燥得到多孔Si/C复合材料。本发明制备的多孔硅复合材料，不仅采用了先进行包碳后还原的思路，同时采用了250℃低温进行反应，没有副产物产生，碳壳阻碍了镁热还原过程中Si颗粒的团聚现象。
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公开(公告)号：CN112768672A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110159087.7
申请日：2021-02-05
Applicant: 昆明理工大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开一种以微硅粉为Si源制备石墨基Si@C负极材料的方法，所述方法为：将微硅粉进行预处理，然后与镁粉进行球磨混合、还原反应，再经酸洗、离心干燥，即得多孔晶体Si颗粒；将所制备的多孔晶体Si在配置好的PH为8.5的Tris缓冲溶液中与多巴胺均匀混合，使聚多巴胺沉积在Si颗粒的表面，对Si进行包覆，制备出Si@C核壳结构的复合体材料。该复合体材料拥有优异的电化学性能，具有较高的比容量、长循环寿命及高的容量保持率，稳定的循环寿命；碳层与其包裹的Si粒子的孔道结构，也为锂离子的脱、嵌缩短了扩散距离与时间；包覆的碳层增强了Si的导电性；Si@C核壳结构也避免了电解液与Si直接接触，形成不稳定的SEI膜。
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