公开(公告)号：CN112850716A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110153937.2

申请日：2021-02-04

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 盛婉婷 ,  郭玉忠 ,  李昆儒 ,  黄瑞安

IPC: C01B33/023 ,  C01B33/18 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种镁热还原制备纳米级多孔晶体Si的方法，属于硅材料制备技术领域。本发明所述方法为以L‑赖氨酸为催化剂通过TEOS的水解与缩合制备出球状纳米级SiO2粒子；将所制备的纳米级SiO2颗粒与Mg粉进行球磨混合得Mg@SiO2复合体然后进行镁热还原反应后，再经HCl酸蚀、离心、干燥即可获得纳米级多孔晶体Si粒子。本发明制备的纳米SiO2材料粒径尺寸均一，比表面积相对较大，为后续应用到纳米SiO2的工序提供便利；将其与Mg粉均匀混合，形成Mg@SiO2复合体缩短了Mg蒸汽的扩散路径，提高了反应程度，再经过HCl酸蚀后获得了纯度很高的纳米级多孔晶体Si，其制备工艺耗能少，操作简单，可规模化生产。

公开(公告)号：CN112768672A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202110159087.7

申请日：2021-02-05

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 盛婉婷 ,  郭玉忠 ,  李昆儒 ,  李朕宇

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/583 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开一种以微硅粉为Si源制备石墨基Si@C负极材料的方法，所述方法为：将微硅粉进行预处理，然后与镁粉进行球磨混合、还原反应，再经酸洗、离心干燥，即得多孔晶体Si颗粒；将所制备的多孔晶体Si在配置好的PH为8.5的Tris缓冲溶液中与多巴胺均匀混合，使聚多巴胺沉积在Si颗粒的表面，对Si进行包覆，制备出Si@C核壳结构的复合体材料。该复合体材料拥有优异的电化学性能，具有较高的比容量、长循环寿命及高的容量保持率，稳定的循环寿命；碳层与其包裹的Si粒子的孔道结构，也为锂离子的脱、嵌缩短了扩散距离与时间；包覆的碳层增强了Si的导电性；Si@C核壳结构也避免了电解液与Si直接接触，形成不稳定的SEI膜。