公开(公告)号：CN112760598A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202011603311.9

申请日：2020-12-30

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 杨滨 ,  方留党 ,  蔡佳贤 ,  封赟昊 ,  李旭东

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/46 ,  C23C14/58 ,  C25F3/02 ,  C25F3/06 ,  C25F3/08 ,  C25B11/081 ,  C25B11/065 ,  C25B3/26 ,  H01M4/88 ,  H01M4/92 ,  H01M4/96

Abstract: 本发明提出了一种孔隙型贵金属基膜电极及其制备方法和应用，所述方法包括如下步骤：以贵金属为主催化相，过渡金属元素为合金相，在炭质载体表面制备贵金属基薄膜催化剂，并通过机械与电化学双场耦合作用实施去合金化处理，得到孔隙型贵金属基膜电极。本发明的基于双场耦合作用制备孔隙型贵金属基膜电极的方法，先合成制备炭载贵金属基催化剂薄膜，再将其进行超声波辅助的电化学腐蚀，通过调整腐蚀液的浓度、温度、时间和超声波功率密度来控制催化剂表面合金的氧化析出原子量以获得开式孔结构，可显著增大膜电极表面的电化学活性比表面积，从而制成直接应用于前述技术领域的孔隙型贵金属基膜电极，具有流程短、成本低、无中间反应物污染等优点。