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公开(公告)号：CN118639202A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410915109.1
申请日：2024-07-09
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能磁阻和各向异性磁阻异质结薄膜的制备方法，该薄膜制备方法包括以下步骤：氧化物靶材制备、脉冲激光沉积镀膜、磁控溅射镀膜和电极制备。该方法通过结合脉冲激光沉积镀膜和磁控溅射镀膜，可以优化薄膜的厚度和均匀性，得到高质量的薄膜。通过调节工艺参数，可以实现不同材料体系和结构的优化，以获得所需的磁性特性。所制备的薄膜具有优异的磁阻和各向异性磁阻特性，适用于磁传感器、存储器件和自旋电子器件等领域。该方法工艺稳定、可控性强，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117125978A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311053892.7
申请日：2023-08-21
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低温烧结单相锆酸铅陶瓷的制备方法，属于功能陶瓷技术领域。具体包括以下步骤：凝胶制备，干胶制备，初烧工艺，粉体压片，终烧工艺。本发明采用了溶胶凝胶法，在低温下即可烧结出单相锆酸铅陶瓷。本发明的制备方法简单省时，所需设备简易，制备得到的陶瓷靶材为单相且均匀性好，化学计量比和初始设计值保持一致，有利于使用陶瓷靶材生长出性能优异的薄膜；结合低温烧结工艺，在生产环节中有助于节能环保。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114019668B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202111426923.X
申请日：2021-11-28
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明提供一种高温反应器与显微镜联用系统，属于高温反应设备领域。该联用系统包括高温反应器和显微镜；高温反应器包括反应腔体和位于反应腔体内部的高温加热台；反应腔体由自下而上分布的腔底、腔身和腔盖组成；腔盖中央位置镶嵌有视窗盖板；显微镜位于视窗盖板的上方；高温加热台固定于腔底，位于视窗盖板正下方；反应腔体上分布有进气口、出气口和抽气口；高温加热台的受热方式为电阻加热或涡流加热或激光加热；高温加热台的测温采用热电偶或红外测温器实现。本发明具有体积小、能耗低、温区多和可视化的特点，尤其能增设电场或磁场条件，并通过显微镜对样品形貌进行实时原位观察。
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公开(公告)号：CN114019668A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111426923.X
申请日：2021-11-28
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明提供一种高温反应器与显微镜联用系统，属于高温反应设备领域。该联用系统包括高温反应器和显微镜；高温反应器包括反应腔体和位于反应腔体内部的高温加热台；反应腔体由自下而上分布的腔底、腔身和腔盖组成；腔盖中央位置镶嵌有视窗盖板；显微镜位于视窗盖板的上方；高温加热台固定于腔底，位于视窗盖板正下方；反应腔体上分布有进气口、出气口和抽气口；高温加热台的受热方式为电阻加热或涡流加热或激光加热；高温加热台的测温采用热电偶或红外测温器实现。本发明具有体积小、能耗低、温区多和可视化的特点，尤其能增设电场或磁场条件，并通过显微镜对样品形貌进行实时原位观察。
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公开(公告)号：CN118533914A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410952352.0
申请日：2024-07-16
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明提供了一种柔性薄膜电阻的测试方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：S1、在薄膜表面覆盖有电极开孔的掩膜版，采用脉冲激光沉积技术，使用金靶在薄膜表面制备底层电极，并对底层电极进行原位退火；S2、采用移液枪吸取银胶滴定到底层电极表面制备粘结层；S3、将银片切割成与底层电极形状、大小一致的小片用作顶部硬质层电极，并将其立即转移到粘结层上，烘干使其定型；S4、采用超声波焊接仪将所制备电极与四探针测试仪连接，得到实时电阻。本发明的方法可以实现对柔性薄膜电阻的无损测试，确保测试过程中薄膜结构不受损坏，同时保证导线与柔性薄膜表面的牢固连接，维持接触电阻在恒定水平。
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公开(公告)号：CN116782747A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310992125.6
申请日：2023-08-08
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了柔性电子罗盘用近室温超大各向异性磁电阻薄膜制备方法，包括以下步骤：组分设计、前驱体制备、前驱体过滤、湿膜旋涂与干膜定型、单膜层烧结、多膜层循环和单层弥散态金属复合相制备。本发明制得的薄膜可在不同角度且低值外磁场作用下，获得超大各向异性磁电阻性能，不但响应温度可达到近室温范围，还具有出色的输运性质和高强度、高韧性、高柔性等优点。此外，本发明所提供的制备工艺简便、可控性强，具有广泛的应用前景，尤其在角度传感器和电子罗盘等定位器件上能够得到重大的推广和应用。
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公开(公告)号：CN116931375A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310971211.9
申请日：2023-08-03
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种简化制备霍尔棒的光刻方法，具体步骤包括：制备薄膜、旋涂、前烘、曝光、中烘、显影、一次水洗、后烘、制备薄膜、二次水洗。本发明在传统步骤中旋涂光刻胶之前生长一层易溶于水的铝酸锶薄膜层，然后使用蒸馏水将铝酸锶薄膜层洗掉制得霍尔棒，省去了传统光刻中的去胶，降低了制造成本以及减少了多重曝光和多重刻蚀繁琐步骤，使操作更加简便快捷，同时本方法在传统光刻步骤基础上省去了刻蚀一步，减少了化学药品的腐蚀，安全环保同时也能大大降低成本。
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