公开(公告)号：CN117673196A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311347056.X

申请日：2023-10-18

Applicant: 昆明物理研究所

Inventor： 杨顺虎 ,  杨超伟 ,  唐遥 ,  王琼芳 ,  左大凡 ,  王思凡 ,  张萤 ,  郭瑞 ,  杨小艺 ,  张学斌 ,  李雄军

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0296

Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞红外探测器互连凸点的制备方法，包括：对读出电路表面进行清洗；在读出电路电极孔上端进行光刻开孔，然后依次沉积Ti、Pt、Au三层金属，经过剥离得到UBM；完成后在UBM上端进行金属凸点光刻，利用热蒸发沉积In和Bi，将In和Bi连续沉积在读出电路上，将In和Bi的质量比控制在67：33，在读出电路表面形成合金In67Bi33，经过剥离工艺得到凸点阵列；对读出电路进行熔球工艺，形成以UBM为底的球缺，互连凸点制备完成。本发明以二元合金In67Bi33作为凸点原料，将互连温度降低到80℃以下，不仅降低了倒装互连回流的温度，还不会对器件的性能造成影响，此外还在很大程度上降低了较高互连温度对器件性能的影响。

公开(公告)号：CN116973362A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310829860.5

申请日：2023-07-07

Applicant: 昆明物理研究所

Inventor： 杨顺虎 ,  王琼芳 ,  唐遥 ,  李雄军 ,  张莹 ,  郭瑞 ,  张学斌

IPC: G01N21/84 ,  G01B11/06 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种判断红外焦平面器件倒装互连连通异常的方法，包括：在读出电路的四个角上选取同一层lay out层做为基准面，同时该基准面要靠近红外探测器焦平面的增透膜；对红外测器焦平面四个角进行3D测量，测量区域需要包含红外探测器焦平面的增透膜和所找到的读出电路上同一层lay out层；对测量区域进行高度测量，测量增透膜到读出电路的高度；计算四个角的高度差，然后判断倒装互连是否异常。本发明可以快速、有效判断连通异常是否有倒装互连异常导致的，并且不会对红外焦平面造成任何损伤。

公开(公告)号：CN102199752B

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201010129122.2

申请日：2010-03-22

Applicant: 昆明物理研究所

Inventor： 孔令德 ,  庄继胜 ,  孔金丞 ,  赵俊 ,  李雄军 ,  李竑志 ,  王光华 ,  杨丽丽 ,  姬荣斌

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02

Abstract: 非晶态碲化镉薄膜的磁控溅射生长法，其特征在于在具有六工位磁控溅射靶位的超高真空磁控溅射生长室，本底真空度优于3.0×10-4Pa，温度为25℃±10℃，用纯度为7N的高纯圆块状CdTe单晶靶为靶材，用纯度为5N的高纯Ar气为溅射工作气体，用载玻片为衬底材料，采用单靶常规溅射技术、三靶间歇式溅射技术或者二靶连续间歇式溅射技术，分别实现非晶态CdTe薄膜的制备。本发明具有工艺可控性强，生产成本低，易于工业化规模生产的优点，能在较低的室温条件下实现非晶态CdTe薄膜的制备，制备的非晶态CdTe薄膜粘附性好，膜质均匀致密。

公开(公告)号：CN102235945A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201010153603.7

申请日：2010-04-23

Applicant: 昆明物理研究所

Inventor： 孔金丞 ,  赵俊 ,  孔令德 ,  张鹏举 ,  王光华 ,  李雄军 ,  杨丽丽 ,  姬荣斌

IPC: G01N1/28

Abstract: 本发明提供的用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法，其特正在于采取A.衬底清洗，B.甩胶，C.生长材料，D.剥离的技术步骤，获得用于透射电镜实验的非晶态薄膜样品，生长薄膜材料的衬底，可采用载玻片、硅片、石英片或者宝石片。本发明方法工艺简单、成品率较高，不需引入机械、化学、离子束等减薄技术，具有不易污染、成本低、可操作性强的优点；用这种工艺制备的非晶态薄膜可以减少假象、破裂现象的发生。

公开(公告)号：CN118136726A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410232925.2

申请日：2024-03-01

Applicant: 昆明物理研究所

Inventor： 王文 ,  李雄军 ,  杨翼虎 ,  张应旭 ,  杨超伟 ,  蒋俊 ,  班雪峰 ,  桂希欢 ,  张文宇 ,  王雪松 ,  方晗昊

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞APD钝化层、制备方法及其应用，包括：基于碲锌镉衬底的液相外延碲镉汞材料，对其采用溴甲醇溶液和乳酸水溶液进行湿化学腐蚀，随后在表面上沉积生长碲化镉钝化层，再进行闭管饱和汞压热退火在碲镉汞外延材料表面形成高组分过渡层，接着在闭管退火后的碲镉汞芯片表面沉积生长碲化镉薄膜并进行真空热处理，得到所需浓度的p型碲镉汞材料。本发明通过封管退火在碲镉汞表面形成的高组分扩散层可以显著减小器件的表面漏电和产生复合电流，封管退火之后沉积的CdTe不仅有利于稳定调节碲镉汞材料的电学参数，还能改善钝化膜层的质量，减少由于刻蚀速率不均匀带来的损伤，最终应用于高性能APD碲镉汞红外探测器的制备。

公开(公告)号：CN114823739A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210304055.6

申请日：2022-03-25

Applicant: 昆明物理研究所

Inventor： 李雄军 ,  赵俊 ,  王向前 ,  秦强 ,  耿松 ,  袁绶章 ,  林占文 ,  杨春丽 ,  李树杰 ,  林阳

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种红外双色探测器芯片环形地线，该环形地线用于抑制双色碲镉汞焦平面探测器裂片，该环形地线由一系列相互隔离且呈锯齿状排列的微台面地线孔环绕双色器件阵列的外边缘，并通过地线金属电极连接形成双色探测器芯片的环形地线；双色器件阵列内规则排列着短波器件微台面孔；所述微台面地线孔和短波器件微台面孔的直径和孔的深度相等；微台面孔型地线电极接触孔、短波器件n型区电极接触孔和中波器件n型区电极接触孔同时采用干法刻蚀钝化层进行制备。本发明解决了地线设计为常规整体开槽方式的双色碲镉汞红外焦平面器件在背减去除衬底后，经过温度冲击容易出现沿地线槽发生裂片的问题，有效提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN102903783A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210405847.9

申请日：2012-10-23

Applicant: 昆明物理研究所

Inventor： 史衍丽 ,  余连杰 ,  何雯瑾 ,  邓功荣 ,  李雄军 ,  杨丽丽 ,  姬荣斌

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器，其特征在于由晶态硅基底、非晶态碲镉汞、金属第一电极和金属第二电极组成，其中，非晶态碲镉汞与晶态硅基底构成异质结，金属第一电极与非晶态碲镉汞连接，金属第二电极与晶态硅基底连接。其制备工艺步骤为衬底清洗、制备非晶态碲镉汞薄膜、光敏面成型、金属电极制备和封装测试；或者为衬底清洗、金属第二电极制备、制备非晶态碲镉汞薄膜、光敏面成型、金属第一电极制备和封装测试。本发明中的非晶态半导体材料对衬底无选择性，组成异质结的材料之间的晶格匹配性能较好，并具有显著的光电响应。该探测器的最佳工作温度在近室温，利用两级半导体制冷即可，降低了红外探测器组件的重量、功耗及制作成本。

公开(公告)号：CN102201485B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201010129133.0

申请日：2010-03-22

Applicant: 昆明物理研究所

Inventor： 莫镜辉 ,  李雄军 ,  史衍丽

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种非晶碲镉汞红外探测器离子束表面清洗方法，其特征在于在真空腔体内，把探测器芯片固定在样品台上，将样品台倾角调整为4.5°，样品台温度设置为10℃，然后对真空腔体抽真空，使真空度达到6×10-4Pa；向真空腔体内通入工作气体，并将气体流量设定为4.0sccm～5.0sccm之间，工作压力设定为1.5×10-2Pa～2.0×10-2Pa；设置离子源参数：离子束能量为150eV～200eV，离子束流为40mA～60mA，中和电流为50mA～80mA；升起离子源与样品台间的挡板，对探测器芯片的非晶碲镉汞表面进行刻蚀清洗，清洗时间为30s～60s。本发明能显著改善钝化膜与光敏元之间以及上电极与光敏元之间的附着力，提高非晶碲镉汞红外探测器的成品率。

公开(公告)号：CN102117861B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200910163262.9

申请日：2009-12-30

Applicant: 昆明物理研究所

Inventor： 史衍丽 ,  庄继胜 ,  余连杰 ,  杨丽丽 ,  孔令德 ,  李雄军 ,  莫镜辉 ,  孙祥乐

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法，其工艺步骤为：A.衬底清洗；B.沉积金属下电极；C.光刻；D.干法刻蚀(下电极成型)；E.去胶清洗；F.磁控溅射(非晶碲镉汞光敏材料生长)；G.光刻；H.干法刻蚀(光敏面成型)；I.去胶清洗；J.光刻；K.干法刻蚀(表面清洁)；L.沉积金属上电极；M.剥离清洗(上电极金属成型)。通过上述制造方法，降低了制造成本，提高了焦平面探测器的可靠性，并使焦平面探测器具有较高的外量子效率，实现了非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造。

公开(公告)号：CN114823739B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202210304055.6

申请日：2022-03-25

Applicant: 昆明物理研究所

Inventor： 李雄军 ,  赵俊 ,  王向前 ,  秦强 ,  耿松 ,  袁绶章 ,  林占文 ,  杨春丽 ,  李树杰 ,  林阳

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种红外双色探测器芯片环形地线，该环形地线用于抑制双色碲镉汞焦平面探测器裂片，该环形地线由一系列相互隔离且呈锯齿状排列的微台面地线孔环绕双色器件阵列的外边缘，并通过地线金属电极连接形成双色探测器芯片的环形地线；双色器件阵列内规则排列着短波器件微台面孔；所述微台面地线孔和短波器件微台面孔的直径和孔的深度相等；微台面孔型地线电极接触孔、短波器件n型区电极接触孔和中波器件n型区电极接触孔同时采用干法刻蚀钝化层进行制备。本发明解决了地线设计为常规整体开槽方式的双色碲镉汞红外焦平面器件在背减去除衬底后，经过温度冲击容易出现沿地线槽发生裂片的问题，有效提高了器件的可靠性。