-
公开(公告)号：CN112563408B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202011360120.4
申请日：2020-11-27
Applicant: 昆山微电子技术研究院
IPC: H10N30/098 , H10N30/04 , H10N30/045 , H10N30/085
Abstract: 本申请公开了一种多场耦合材料加工装置，包括：加工腔体，所述加工腔体具有加工内腔；用于储存待加工材料，并能够进出所述加工腔体的储料件；能够对位于所述加工内腔中的所述待加工材料施加压力的施力系统；能够加热位于所述加工内腔中的所述待加工材料，以使所述待加工材料具有不同温度的温度系统；能够对位于所述加工内腔中的所述待加工材料施加电场的电场系统；能够改变所述加工内腔的气氛状态，以使位于所述加工内腔中的所述待加工材料处于不同气氛环境的气氛系统。上述的多场耦合材料加工装置，能够在加工过程中对待加工材料同时施加多个物理场，避免了待加工材料在不同设备之间的转移，提高了产品的良率和性能。
-
公开(公告)号：CN112606509B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202011485108.6
申请日：2020-12-16
Applicant: 昆山微电子技术研究院
IPC: B32B27/32 , B32B27/28 , B32B27/08 , B32B33/00 , B32B37/10 , B32B37/06 , B32B37/24 , B32B38/00 , B32B38/16 , G01L1/16 , G01L9/08
Abstract: 本发明提供了一种自极化复合驻极体‑压电薄膜的制备方法，通过精确的温度控制和较强的电场，在薄膜熔化重新结晶阶段施加外电场，诱导β型PVDF晶体的生成；选用高分子驻极体衬底材料，在对PVDF极化的同时对驻极体衬底进行极化，将电荷注入衬底中，驻极体材料会在较长时间内带有电荷，两块衬底之间形成的电场可以实现对PVDF的长期极化，可以修复在使用中退极化的PVDF晶体，同时为PVDF薄膜提供封装方案和机械强度。本发明还提供了一种自极化复合驻极体‑压电薄膜的制备方法及压电薄膜传感器。
-
公开(公告)号：CN112606509A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011485108.6
申请日：2020-12-16
Applicant: 昆山微电子技术研究院
IPC: B32B27/32 , B32B27/28 , B32B27/08 , B32B33/00 , B32B37/10 , B32B37/06 , B32B37/24 , B32B38/00 , B32B38/16 , G01L1/16 , G01L9/08
Abstract: 本发明提供了一种自极化复合驻极体‑压电薄膜的制备方法，通过精确的温度控制和较强的电场，在薄膜熔化重新结晶阶段施加外电场，诱导β型PVDF晶体的生成；选用高分子驻极体衬底材料，在对PVDF极化的同时对驻极体衬底进行极化，将电荷注入衬底中，驻极体材料会在较长时间内带有电荷，两块衬底之间形成的电场可以实现对PVDF的长期极化，可以修复在使用中退极化的PVDF晶体，同时为PVDF薄膜提供封装方案和机械强度。本发明还提供了一种自极化复合驻极体‑压电薄膜的制备方法及压电薄膜传感器。
-
公开(公告)号：CN112563408A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011360120.4
申请日：2020-11-27
Applicant: 昆山微电子技术研究院
IPC: H01L41/45 , H01L41/253 , H01L41/257 , H01L41/335
Abstract: 本申请公开了一种多场耦合材料加工装置，包括：加工腔体，所述加工腔体具有加工内腔；用于储存待加工材料，并能够进出所述加工腔体的储料件；能够对位于所述加工内腔中的所述待加工材料施加压力的施力系统；能够加热位于所述加工内腔中的所述待加工材料，以使所述待加工材料具有不同温度的温度系统；能够对位于所述加工内腔中的所述待加工材料施加电场的电场系统；能够改变所述加工内腔的气氛状态，以使位于所述加工内腔中的所述待加工材料处于不同气氛环境的气氛系统。上述的多场耦合材料加工装置，能够在加工过程中对待加工材料同时施加多个物理场，避免了待加工材料在不同设备之间的转移，提高了产品的良率和性能。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.027 seconds)
