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公开(公告)号：CN107068184A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610812714.1
申请日：2016-09-09
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
Abstract: 一种操作每一存储单元单一位的存储器的方法，包括由设定一第一范围阈值电压中的阈值电压，擦除一存储单元群组，建立一第一逻辑值。在擦除后，第一写入包括编程第一选择的存储单元，由设定一第二范围阈值电压中的阈值电压以建立一第二逻辑值，及保存一感测状态参数以指示一第一读取电压。在第一写入后，第二写入包括编程第二选择的存储单元，由设定一第三范围阈值电压中的阈值电压以建立该第二逻辑值，及保存该感测状态参数以指示一第二读取电压。在包括第一写入及第二写入的一些写入达到写入存储单元组的一临界数量后，存储单元组可被擦除。
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公开(公告)号：CN112506809A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910891765.1
申请日：2019-09-20
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种存储器系统以及存储器操作方法。存储器系统包含一闪存存储器芯片以及一控制器。控制器耦接该闪存存储器芯片，其中该控制器经配置以自一文档系统接收一第一版本的一数据，以储存该第一版本的该数据至该闪存存储器芯片的一第一页面；以及响应于该数据的一第二版本以编程该第二版本的该数据于该第一页面，其中该第二版本新于该第一版本。
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公开(公告)号：CN107068184B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201610812714.1
申请日：2016-09-09
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
Abstract: 一种操作每一存储单元单一位的存储器的方法，包括由设定一第一范围阈值电压中的阈值电压，擦除一存储单元群组，建立一第一逻辑值。在擦除后，第一写入包括编程第一选择的存储单元，由设定一第二范围阈值电压中的阈值电压以建立一第二逻辑值，及保存一感测状态参数以指示一第一读取电压。在第一写入后，第二写入包括编程第二选择的存储单元，由设定一第三范围阈值电压中的阈值电压以建立该第二逻辑值，及保存该感测状态参数以指示一第二读取电压。在包括第一写入及第二写入的一些写入达到写入存储单元组的一临界数量后，存储单元组可被擦除。
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公开(公告)号：CN110908790A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811072611.1
申请日：2018-09-14
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
Abstract: 一种存储器存储装置及其操作方法，该存储器存储装置耦接至执行多个程序的一主机，包括一存储器阵列以及一控制器。该操作方法包括：由该控制器接收由该主机所传来的这些程序中的一第一程序的一第一请求与一第一程序辨别码；以及该控制器根据该第一程序的该第一程序辨别码所对应的一第一垃圾收集额度参数，以对该第一请求与一垃圾收集操作进行排序，该第一垃圾收集额度参数代表该第一程序的一第一垃圾收集等待时间。当该第一程序辨别码所对应的该第一垃圾收集额度参数到达一阈值时，该第一请求的排序优于该垃圾收集操作。当该第一程序辨别码所对应的该第一垃圾收集额度参数未到达该阈值时，该垃圾收集操作的排序优于该第一请求。
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公开(公告)号：CN112506697A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910891762.8
申请日：2019-09-20
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: G06F11/10
Abstract: 一种存储器数据管理方法，包含以下步骤：读取一存储器区的多个存储单元的多笔数据；判断这些数据的错误位是否超过一错误修正阈值；以及若这些数据的错误位超过该错误修正阈值，执行编程步骤，将这些数据中的第一状态数据提升至超过第一阈值，将这些数据中的第二状态数据提升至超过第二阈值，将这些数据中的第三状态数据提升至超过第三阈值。借由快速数据调整模式，进而改善存储误码率，并可借由完整数据调整模式，进而提升数据保持能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109522237A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710854702.X
申请日：2017-09-20
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: G06F12/02
Abstract: 一种存储器的数据管理方法及存储器装置。存储器包括多个存储器页面，各存储器页面包括多个存储单元，各存储单元包括第一存储位及第二存储位。各存储单元具有第一逻辑状态、第二逻辑状态、第三逻辑状态及第四逻辑状态。数据管理方法包括以下步骤：接收对应于一逻辑地址的一数据更新指令，于接收数据更新指令前，该逻辑地址对应至一实体地址。施加一净化电压至位于实体地址的存储器页面中的一目标存储单元，改变存储器页面中的目标存储单元的逻辑状态。
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公开(公告)号：CN109710173B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201711012360.3
申请日：2017-10-26
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种存储器装置及应用于其上的数据管理方法。存储器装置包含存储器阵列与控制器。存储器阵列包含第一存储区域与第二存储区域。第一存储区域包含排列为I1行与J1列的多个第一子区域丛集，且各第一子区域丛集包含排列为O1行与P1列的多个子区域。第二存储区域包含排列为I2行与J2列的多个第二子区域丛集，且各第二子区域丛集包含排列为O2行与P2列的多个子区域。其中，控制器利用这些第一子区域丛集中的第一第一子区域丛集以及这些第二子区域丛集中的第一第二子区域丛集的其中一者存取第一数据。
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公开(公告)号：CN110827904A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810905611.9
申请日：2018-08-09
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
Abstract: 一种存储器装置的编程方法，该存储器装置包括一存储器阵列与一控制器，该存储器阵列包括多个存储器单元，该编程方法包括：由该控制器控制对该存储器阵列的一第一字线的一第一页面进行编程；由该控制器控制对该存储器阵列的一第二字线的一第一页面进行编程，该第二字线相邻于该第一字线；由该控制器控制对该存储器阵列的该第一字线的一第二页面进行一第一编程；由该控制器控制对该存储器阵列的一第三字线的一第一页面进行编程，该第三字线相邻于该第二字线；由该控制器控制对该存储器阵列的该第二字线的一第二页面进行该第一编程；以及由该控制器控制对该存储器阵列的该第一字线的该第二页面进行一第二编程。
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公开(公告)号：CN105653201B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201510788091.4
申请日：2015-11-16
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种读取平均化方法及使用读取平均化方法的存储器装置。存储器装置包含第一存储器区块及至少一第二存储器区块。此方法包含以下步骤。判断第一存储器区块的区块读取计数是否大于或等于第一阈值。当第一存储器区块的区块读取计数大于或等于第一阈值时，侦测第一存储器区块的页的读取计数。判断第一存储器区块的区块读取计数是否大于或等于第二阈值。当第一存储器区块的区块读取计数大于或等于第二阈值时，将第一存储器区块的其中一页的数据移动到第二存储器区块的一页。
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公开(公告)号：CN109522237B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201710854702.X
申请日：2017-09-20
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: G06F12/02
Abstract: 一种存储器的数据管理方法及存储器装置。存储器包括多个存储器页面，各存储器页面包括多个存储单元，各存储单元包括第一存储位及第二存储位。各存储单元具有第一逻辑状态、第二逻辑状态、第三逻辑状态及第四逻辑状态。数据管理方法包括以下步骤：接收对应于一逻辑地址的一数据更新指令，于接收数据更新指令前，该逻辑地址对应至一实体地址。施加一净化电压至位于实体地址的存储器页面中的一目标存储单元，改变存储器页面中的目标存储单元的逻辑状态。
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