公开(公告)号：CN102089860A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980127898.6

申请日：2009-07-10

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 林和幸 ,  宇野俊之 ,  海老原健

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/16 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供来自掩模图案区域外侧的区域的反射光所造成的影响得到抑制的EUV掩模及用于该EUV掩模的制造的EUV掩模基板。EUV光刻(EUVL)用反射型掩模在衬底上具有掩模图案区域和位于该掩模图案区域的外侧的EUV光吸收区域，所述掩模图案区域中在所述衬底上具有反射EUV光的反射层，该反射层上存在包括吸收EUV光的吸收体层的部位和不包括所述吸收体层的部位，包括所述吸收体层的部位和不包括所述吸收体层的部位的配置形成掩模图案，该掩模的特征在于，来自所述吸收体层表面的EUV反射光的反射率为5～15％，来自所述EUV光吸收区域表面的EUV反射光的反射率在1％以下。

公开(公告)号：CN101978468A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980109887.5

申请日：2009-02-19

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 林和幸 ,  宇野俊之 ,  海老原健

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/16

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供具有可容易地控制应力和晶体结构的吸收体层的EUV光刻用反射型掩模基板。该EUV光刻用反射型掩模基板的衬底上至少依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，所述吸收体层含有钽(Ta)、氮(N)和氢(H)，所述吸收体层中的Ta和N的总含有率为50～99.9原子％，H的含有率为0.1～50原子％。

公开(公告)号：CN102089860B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980127898.6

申请日：2009-07-10

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 林和幸 ,  宇野俊之 ,  海老原健

IPC: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供来自掩模图案区域外侧的区域的反射光所造成的影响得到抑制的EUV掩模及用于该EUV掩模的制造的EUV掩模基板。EUV光刻(EUVL)用反射型掩模在衬底上具有掩模图案区域和位于该掩模图案区域的外侧的EUV光吸收区域，所述掩模图案区域中在所述衬底上具有反射EUV光的反射层，该反射层上存在包括吸收EUV光的吸收体层的部位和不包括所述吸收体层的部位，包括所述吸收体层的部位和不包括所述吸收体层的部位的配置形成掩模图案，该掩模的特征在于，来自所述吸收体层表面的EUV反射光的反射率为5～15％，来自所述EUV光吸收区域表面的EUV反射光的反射率在1％以下。

公开(公告)号：CN101978468B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200980109887.5

申请日：2009-02-19

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 林和幸 ,  宇野俊之 ,  海老原健

IPC: G03F1/24 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供具有可容易地控制应力和晶体结构的吸收体层的EUV光刻用反射型掩模基板。该EUV光刻用反射型掩模基板的衬底上至少依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，所述吸收体层含有钽(Ta)、氮(N)和氢(H)，所述吸收体层中的Ta和N的总含有率为50～99.9原子％，H的含有率为0.1～50原子％。