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公开(公告)号：CN102203907A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980143726.8
申请日：2009-10-28
Applicant: 旭硝子株式会社
Inventor： 林和幸
IPC: H01L21/027 , G03F1/16
Abstract: 本发明提供具备EUV光及图案检查光的波长范围的反射率低且膜组成及膜厚易于控制在所希望的范围内的吸收体层的EUV光刻用反射型掩模基板。该EUV光刻用反射型掩模基板中在衬底上依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，所述吸收体层至少含有钽(Ta)、硼(B)、氮(N)及氢(H)，所述吸收体层中，B的含有率为1at％以上但低于5at％，H的含有率为0.1～5at％，Ta及N的合计含有率为90～98.9at％，Ta和N的组成比Ta∶N＝8∶1～1∶1。
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公开(公告)号：CN102089860A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127898.6
申请日：2009-07-10
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/16 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供来自掩模图案区域外侧的区域的反射光所造成的影响得到抑制的EUV掩模及用于该EUV掩模的制造的EUV掩模基板。EUV光刻(EUVL)用反射型掩模在衬底上具有掩模图案区域和位于该掩模图案区域的外侧的EUV光吸收区域，所述掩模图案区域中在所述衬底上具有反射EUV光的反射层，该反射层上存在包括吸收EUV光的吸收体层的部位和不包括所述吸收体层的部位，包括所述吸收体层的部位和不包括所述吸收体层的部位的配置形成掩模图案，该掩模的特征在于，来自所述吸收体层表面的EUV反射光的反射率为5～15％，来自所述EUV光吸收区域表面的EUV反射光的反射率在1％以下。
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公开(公告)号：CN101978468B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200980109887.5
申请日：2009-02-19
Applicant: 旭硝子株式会社
Abstract: 本发明提供具有可容易地控制应力和晶体结构的吸收体层的EUV光刻用反射型掩模基板。该EUV光刻用反射型掩模基板的衬底上至少依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，所述吸收体层含有钽(Ta)、氮(N)和氢(H)，所述吸收体层中的Ta和N的总含有率为50～99.9原子％，H的含有率为0.1～50原子％。
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公开(公告)号：CN102067283A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980123428.2
申请日：2009-06-17
Applicant: 旭硝子株式会社
Inventor： 林和幸
IPC: H01L21/027 , G03F1/16
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/84 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明提供具有对于EUV光和掩模图案检查光的波长区域的反射率低、特别是对于掩模图案检查光的整个波长区域(190～260nm)呈现低反射特性且对于氯系气体蚀刻的蚀刻速度快的低反射层的EUV光刻用反射型掩模基板。一种EUV光刻用反射型掩模基板，它是在衬底上依次形成有反射EUV光的反射层、吸收EUV光的吸收体层、对掩模图案的检查光(波长190nm～260nm)为低反射的低反射层的EUV光刻用反射型掩模基板，其特征在于，所述低反射层以总含有率计含有95原子％以上的硅(Si)和氮(N)，Si的含有率为5～80原子％，N的含有率为15～90原子％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102203907B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN200980143726.8
申请日：2009-10-28
Applicant: 旭硝子株式会社
Inventor： 林和幸
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明提供具备EUV光及图案检查光的波长范围的反射率低且膜组成及膜厚易于控制在所希望的范围内的吸收体层的EUV光刻用反射型掩模基板。该EUV光刻用反射型掩模基板中在衬底上依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，所述吸收体层至少含有钽(Ta)、硼(B)、氮(N)及氢(H)，所述吸收体层中，B的含有率为1at％以上但低于5at％，H的含有率为0.1～5at％，Ta及N的合计含有率为90～98.9at％，Ta和N的组成比Ta∶N＝8∶1～1∶1。
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公开(公告)号：CN102203906B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN200980143609.1
申请日：2009-10-28
Applicant: 旭硝子株式会社
Inventor： 林和幸
Abstract: 本发明提供一种具有低反射层的EUV光刻用反射型掩模，所述低反射层对EUV和掩模图案的检查光的波长区为低反射率，进而满足掩模制造过程和图案转印过程所需要的在波长区(400～1200nm)的所期望的反射率(405nm：＜40％，600～650nm：30～50％，800～900nm：＞50％，1000～1200nm：＜90％)。一种EUV光刻用反射型掩模坯料，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层、和用于吸收EUV光的吸收体层、和针对掩模图案的检查光(波长190～260nm)的低反射层，前述低反射层至少含有钽(Ta)、氧(O)和氢(H)，在前述低反射层中，Ta和O的总含有率为85～99.9at％，H的含有率为0.1～15at％。
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公开(公告)号：CN102203906A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980143609.1
申请日：2009-10-28
Applicant: 旭硝子株式会社
Inventor： 林和幸
IPC: H01L21/027 , G03F1/16
Abstract: 本发明提供一种具有低反射层的EUV光刻用反射型掩模，所述低反射层对EUV和掩模图案的检查光的波长区为低反射率，进而满足掩模制造过程和图案转印过程所需要的在波长区(400～1200nm)的所期望的反射率(405nm：＜40％，600～650nm：30～50％，800～900nm：＞50％，1000～1200nm：＜90％)。一种EUV光刻用反射型掩模坯料，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层、和用于吸收EUV光的吸收体层、和针对掩模图案的检查光(波长190～260nm)的低反射层，前述低反射层至少含有钽(Ta)、氧(O)和氢(H)，在前述低反射层中，Ta和O的总含有率为85～99.9at％，H的含有率为0.1～15at％。
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公开(公告)号：CN101978468A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109887.5
申请日：2009-02-19
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/16
Abstract: 本发明提供具有可容易地控制应力和晶体结构的吸收体层的EUV光刻用反射型掩模基板。该EUV光刻用反射型掩模基板的衬底上至少依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，所述吸收体层含有钽(Ta)、氮(N)和氢(H)，所述吸收体层中的Ta和N的总含有率为50～99.9原子％，H的含有率为0.1～50原子％。
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公开(公告)号：CN102089860B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980127898.6
申请日：2009-07-10
Applicant: 旭硝子株式会社
Abstract: 本发明提供来自掩模图案区域外侧的区域的反射光所造成的影响得到抑制的EUV掩模及用于该EUV掩模的制造的EUV掩模基板。EUV光刻(EUVL)用反射型掩模在衬底上具有掩模图案区域和位于该掩模图案区域的外侧的EUV光吸收区域，所述掩模图案区域中在所述衬底上具有反射EUV光的反射层，该反射层上存在包括吸收EUV光的吸收体层的部位和不包括所述吸收体层的部位，包括所述吸收体层的部位和不包括所述吸收体层的部位的配置形成掩模图案，该掩模的特征在于，来自所述吸收体层表面的EUV反射光的反射率为5～15％，来自所述EUV光吸收区域表面的EUV反射光的反射率在1％以下。
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