公开(公告)号：CN104867530B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201510011506.7

申请日：2015-01-09

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 安藤节夫 ,  森英人 ,  野坂勉

IPC: H01B1/02 ,  H01B1/22 ,  C09J9/02 ,  C09J7/00

Abstract: 本发明提供比以往廉价且具有足够高的导电性的导电性颗粒以及包含这种导电性颗粒的导电性粉体、导电性高分子组合物和各向异性导电片。本发明的实施方式的导电性颗粒(10)具有：包含Ni和P的球状核(12)、覆盖核(12)表面的Pd镀层(14)、和覆盖Pd镀层(14)表面的Au镀层(16)。

公开(公告)号：CN107073577A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580057689.4

申请日：2015-09-29

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 森英人 ,  野坂勉

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  C22C19/03 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/00 ,  H01B5/16 ,  B22F9/24

Abstract: 本发明提供与现有技术相比体积电阻率格外小且导电性良好、更理想为廉价的导电性颗粒、导电性粉体、导电性高分子组合物以及各向异性导电片。导电性颗粒10具有覆盖含有5～15质量％以下P的球状Ni核11的表面的第一镀层12(纯Ni镀层或含有4.0质量％以下P的Ni镀层)。导电性颗粒可以还具有覆盖第一镀层12的表面的厚度5～200nm的Au镀层。导电性粉体是含有导电性颗粒的粉体，中位粒径d50为3～100μm，并且(d90－d10)/d50≤0.8。导电性高分子组合物包含上述导电性粉体和高分子。各向异性导电片由上述导电性高分子组合物形成，其中，上述导电性颗粒沿厚度方向排列。

公开(公告)号：CN107073577B

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201580057689.4

申请日：2015-09-29

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 森英人 ,  野坂勉

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  C22C19/03 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/00 ,  H01B5/16 ,  B22F9/24

Abstract: 本发明提供与现有技术相比体积电阻率格外小且导电性良好、更理想为廉价的导电性颗粒、导电性粉体、导电性高分子组合物以及各向异性导电片。导电性颗粒10具有覆盖含有5～15质量％以下P的球状Ni核11的表面的第一镀层12(纯Ni镀层或含有4.0质量％以下P的Ni镀层)。导电性颗粒可以还具有覆盖第一镀层12的表面的厚度5～200nm的Au镀层。导电性粉体是含有导电性颗粒的粉体，中位粒径d50为3～100μm，并且(d90－d10)/d50≤0.8。导电性高分子组合物包含上述导电性粉体和高分子。各向异性导电片由上述导电性高分子组合物形成，其中，上述导电性颗粒沿厚度方向排列。

公开(公告)号：CN104867530A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510011506.7

申请日：2015-01-09

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 安藤节夫 ,  森英人 ,  野坂勉

IPC: H01B1/02 ,  H01B1/22 ,  C09J9/02 ,  C09J7/00

Abstract: 本发明提供比以往廉价且具有足够高的导电性的导电性颗粒以及包含这种导电性颗粒的导电性粉体、导电性高分子组合物和各向异性导电片。本发明的实施方式的导电性颗粒(10)具有：包含Ni和P的球状核(12)、覆盖核(12)表面的Pd镀层(14)、和覆盖Pd镀层(14)表面的Au镀层(16)。