公开(公告)号：CN101304071B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200810095952.0

申请日：2008-04-30

Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司

Inventor： 小托马斯·D·布恩 ,  莉斯尔·福克斯 ,  布鲁斯·A·格尼 ,  乔丹·A·凯坦 ,  欧内斯托·E·马林罗 ,  尼尔·史密斯

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11B5/39 ,  G01R33/09

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/095 ,  G11B5/398 ,  G11B5/3993 ,  G11C11/14 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49041 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49052

Abstract: 本发明提供一种异常磁致电阻器件。一种具有减小的尺寸和提高的分辨率的异常磁致电阻传感器包括接触磁有效层的多条导电引线且还包括导电分路结构。传感器的该导电引线和分路结构可以以公共光刻掩模化和蚀刻工艺形成从而他们彼此自对准。这避免了需要对准多个光刻处理步骤，由此允许大大提高的分辨率和减小的引线间隔。该异常磁致电阻传感器能形成有磁有效层，该磁有效层能接近或处于气垫面处以获得与数据记录系统的相邻磁介质的改善的磁间隔。

公开(公告)号：CN101304071A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810095952.0

申请日：2008-04-30

Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司

Inventor： 小托马斯·D·布恩 ,  莉斯尔·福克斯 ,  布鲁斯·A·格尼 ,  乔丹·A·凯坦 ,  欧内斯托·E·马林罗 ,  尼尔·史密斯

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11B5/39 ,  G01R33/09

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/095 ,  G11B5/398 ,  G11B5/3993 ,  G11C11/14 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49041 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49052

Abstract: 本发明提供一种异常磁致电阻器件。一种具有减小的尺寸和提高的分辨率的异常磁致电阻传感器包括接触磁有效层的多条导电引线且还包括导电分路结构。传感器的该导电引线和分路结构可以以公共光刻掩模化和蚀刻工艺形成从而它们彼此自对准。这避免了需要对准多个光刻处理步骤，由此允许大大提高的分辨率和减小的引线间隔。该异常磁致电阻传感器能形成有磁有效层，该磁有效层能接近或处于气垫面处以获得与数据记录系统的相邻磁介质的改善的磁间隔。