公开(公告)号：CN112997293A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980074171.X

申请日：2019-11-27

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 池谷克己 ,  大岛隆文 ,  小林洋一郎 ,  北雅人 ,  小森山惠士 ,  右田稔 ,  川越悠 ,  菅野清隆

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提供在具有电流镜电路的半导体器件中，能够抑制电流镜电路的镜比的经久劣化的可靠性高的半导体器件。本发明的半导体器件的特征在于，包括：电流镜电路，其具有第一MOS晶体管和与所述第一MOS晶体管成对的多个MOS晶体管；和形成在所述MOS晶体管的上层的多个配线层，所述多个配线层配置成，使得在从所述第一MOS晶体管和所述多个MOS晶体管的各MOS晶体管的沟道区域端部起的规定的范围内各配线图案成为相同形状。

公开(公告)号：CN114144965A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080051602.3

申请日：2020-07-14

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 白头拓真 ,  大岛隆文 ,  松下晃

IPC: H02M1/00 ,  H02M1/34 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明通过减小开关元件导通和关断时产生的电感环路的失真来提高电感减小效果。上臂电路部(201U)和下臂电路部(201L)在与上臂电路部(201U)和下臂电路部(201L)分离的第一方向正交的第二方向上偏移地设置，由正极端子部(181)、负极端子部(155)和缓冲元件(30)构成的缓冲电路连接部区域(202)的至少一部分设置在因上臂电路部(201U)和下臂电路部(201L)在第二方向上偏移而产生的第一区域内。

公开(公告)号：CN108028226B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201680050965.9

申请日：2016-08-02

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 大岛隆文 ,  和田真一郎 ,  池谷克己 ,  米田浩志

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供了一种能够抑制有源元件的温度上升的车载用半导体装置。一种车载用半导体装置，包括：半导体基板；多个有源元件，它们在半导体基板上形成；多个沟槽，它们包围并绝缘隔离多个有源元件；以及端子，其用于将被多个沟槽中的不同沟槽绝缘隔离的多个有源元件并联连接并与外部连接。

公开(公告)号：CN108140611B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201680033010.2

申请日：2016-07-01

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 和田真一郎 ,  大岛隆文 ,  池谷克己

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够不使导通耐压降低地抑制导通电阻的特性变化的开关元件以及负载驱动装置。本发明的特征在于，具有：控制用电极；有源元件区域；以及无源元件区域，所述有源元件区域和所述无源元件区域相邻地形成在所述控制用电极上。或者，在具有电流驱动用开关元件和与所述负载驱动用开关元件并联连接的、用于对所述负载驱动用开关元件的通电电流进行检测的电流检测用开关元件的负载驱动装置中，至少所述电流检测用开关元件具有：控制用电极；有源元件区域；以及无源元件区域，所述有源元件区域和所述无源元件区域相邻地形成在所述控制用电极上。

公开(公告)号：CN112236861B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN201980032595.X

申请日：2019-04-23

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 大岛隆文 ,  池谷克己 ,  北雅人 ,  小森山惠士 ,  菅野清隆 ,  和田真一郎

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种在具有多个晶体管元件的半导体装置中，随时间的特性变动少、可靠性高的半导体装置和使用该半导体装置的车载控制装置，其中，多个晶体管元件构成要求高相对精度的电流镜电路、差动放大电路。该半导体装置具备：第一MOS晶体管；与所述第一MOS晶体管成对的第二MOS晶体管；进行元件间的绝缘隔离的绝缘隔离壁，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的相对特性在规定的范围内，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管相互在栅极宽度方向或栅极长度方向上排列，在与所述栅极宽度方向或所述栅极长度方向垂直的方向上，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管各自的栅极氧化膜与相对的所述绝缘隔离壁之间的距离相等。

公开(公告)号：CN112997293B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201980074171.X

申请日：2019-11-27

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 池谷克己 ,  大岛隆文 ,  小林洋一郎 ,  北雅人 ,  小森山惠士 ,  右田稔 ,  川越悠 ,  菅野清隆

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提供在具有电流镜电路的半导体器件中，能够抑制电流镜电路的镜比的经久劣化的可靠性高的半导体器件。本发明的半导体器件的特征在于，包括：电流镜电路，其具有第一MOS晶体管和与所述第一MOS晶体管成对的多个MOS晶体管；和形成在所述MOS晶体管的上层的多个配线层，所述多个配线层配置成，使得在从所述第一MOS晶体管和所述多个MOS晶体管的各MOS晶体管的沟道区域端部起的规定的范围内各配线图案成为相同形状。

公开(公告)号：CN117280448A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202280034050.4

申请日：2022-02-21

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 池田靖 ,  樱井直树 ,  大岛隆文 ,  白头拓真

IPC: H01L21/52

Abstract: 本发明的半导体器件中，具有Ni‑V电极的半导体元件经由Sn系无铅焊料与导体接合，并且，与所述半导体元件和所述Sn系无铅焊料的界面相邻地，分别形成有Sn‑V化合物层以及与所述Sn‑V化合物相邻的(Ni,Cu)3Sn4化合物层。此外，本发明的半导体器件的制造方法通过使所述Sn系无铅焊料与所述Ni‑V电极反应而形成Sn‑V层和(Ni,Cu)3Sn4化合物层，并使得在所述Sn‑V层形成后，在所述Ni‑V电极中残留有未与所述Sn系无铅焊料反应的未反应的层。