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发明公开
有机硅氧烷膜、使用它的半导体器件及平面显示器件以及原料液无效复审申请

公开(公告)号：CN1969379A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200580020360.7

申请日：2005-06-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 龙崎大介 , 福田宏

IPC: H01L21/312 , H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02274 , H01L21/02282 , H01L21/3121 , H01L21/3122 , H01L21/76801 , Y10T428/31612

Abstract: 本发明提供一种延长介电常数低的有机硅氧烷膜的介电常数寿命的材料设计指南。在介电常数为2.1以下的有机硅氧烷膜中，将膜中的碳量相对硅量的元素比做成0.10以上0.55以下。

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