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公开(公告)号：CN1798795A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480015574.0
申请日：2004-06-04
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 玛库斯德姆有限公司
Abstract: 本发明的目的是提供可以有效地去除钯、磷的精制方法以及使用该法的电致发光材料和电致发光元件。本发明涉及一种电致发光材料的精制方法，其中用氧化剂对作为杂质含有钯或/和磷的电致发光材料进行处理之后，再用柱进行处理，将钯或/和磷除去。
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公开(公告)号：CN1798794A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480015571.7
申请日：2004-06-04
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 玛库斯德姆有限公司
Abstract: 本发明的目的是提供可以有效地去除钯的精制方法以及使用该法的电致发光材料和电致发光元件。本发明涉及一种电致发光材料的精制方法，其中用含有磷的材料对作为杂质含有钯的电致发光材料进行处理，将钯除去。
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公开(公告)号：CN101560290A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910138979.8
申请日：2004-04-16
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C08G61/12
CPC classification number: H05B33/14 , C08G73/0688 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1466 , H01L51/0043 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0062 , H01L51/007 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H01L2251/308
Abstract: 本发明涉及一种聚喹啉共聚物的制造方法，所述共聚物含有可以具有取代基的喹啉单体单元以及可以具有取代基的支链结构的单体单元，所述制造方法中使喹啉衍生物的二硼酸酯、和三溴支链结构衍生物，于钯(0)催化剂的存在下，利用水溶性碱进行共聚合。
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公开(公告)号：CN100387641C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200480015574.0
申请日：2004-06-04
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 玛库斯德姆有限公司
Abstract: 本发明的目的是提供可以有效地去除钯、磷的精制方法以及使用该法的电致发光材料和电致发光元件。本发明涉及一种电致发光材料的精制方法，其中用氧化剂对作为杂质含有钯或/和磷的电致发光材料进行处理之后，再用柱进行处理，将钯或/和磷除去。
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公开(公告)号：CN101203538B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200580035298.9
申请日：2005-10-14
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 玛库斯德姆有限公司
Inventor： 森下芳伊 , 野村理行 , 津田义博 , 田井诚司 , 马太·L.·梅洛可三世 , 法夏·J.·摩塔米帝 , 王里升 , 梁永超
IPC: C08G61/10
CPC classification number: C07D249/20 , C07D209/88 , C07D409/14 , C08G61/122 , C08G61/124 , C08G61/125 , C08G61/126 , C08G73/18 , C08G73/22 , Y10S428/917
Abstract: 本发明发现包含苯并三唑重复单元及其衍生物的高量子产率的发光单体、低聚物以及聚合物，并且将它们用于光学装置及用于这些装置中的元件，包括电致发光装置、发光装置、光致发光装置、有机发光二极管(OLEDs)、OLED显示器、传感器等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1421710A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02154836.6
申请日：2002-12-02
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: G02B5/02 , G02F1/1335 , B32B3/30
Abstract: 一种漫反射板，使光线发生漫反射，并具有连续的凹凸面，其中由相对漫反射板的基材表面形成的垂直面(a)和倾斜面(b)构成的锯齿状截面中，垂直面(a)和倾斜面(b)的]锯齿状截面连续重复，且对基材表面的倾斜面(b)的倾斜度为2－30度，对基材表面的垂直面(a)的倾斜度为75－105度，与其锯齿状截面相直交的倾斜面(b)的截面为具有振幅的波形。
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公开(公告)号：CN100516121C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200480015571.7
申请日：2004-06-04
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 玛库斯德姆有限公司
Abstract: 本发明的目的是提供可以有效地去除钯的精制方法以及使用该法的电致发光材料和电致发光元件。本发明涉及一种电致发光材料的精制方法，其中用含有磷的材料对作为杂质含有钯的电致发光材料进行处理，将钯除去。
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公开(公告)号：CN101203538A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200580035298.9
申请日：2005-10-14
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 玛库斯德姆有限公司
Inventor： 森下芳伊 , 野村理行 , 津田义博 , 田井诚司 , 马太·L.·梅洛可三世 , 法夏·J.·摩塔米帝 , 王里升 , 梁永超
IPC: C08G61/10
CPC classification number: C07D249/20 , C07D209/88 , C07D409/14 , C08G61/122 , C08G61/124 , C08G61/125 , C08G61/126 , C08G73/18 , C08G73/22 , Y10S428/917
Abstract: 本发明发现包含苯并三唑重复单元及其衍生物的高量子产率的发光单体、低聚物以及聚合物，并且将它们用于光学装置及用于这些装置中的元件，包括电致发光装置、发光装置、光致发光装置、有机发光二极管(OLEDs)、OLED显示器、传感器等。
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公开(公告)号：CN1777628A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200480010475.3
申请日：2004-04-16
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 玛库斯德姆有限公司
CPC classification number: H01L51/0043 , C08G73/0688 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1466 , H01L51/0035 , H01L51/5012 , H05B33/14
Abstract: 本发明涉及一种聚喹啉共聚物，其中含有可具有取代基的喹啉单体单元和可具有取代基的苯并三唑单体单元。本发明还提供了稳定性出色的发光聚合物材料。
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公开(公告)号：CN1777627A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200480010467.9
申请日：2004-04-16
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H05B33/14 , C08G73/0688 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1466 , H01L51/0043 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0062 , H01L51/007 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H01L2251/308
Abstract: 一种聚喹啉共聚物，含有可以具有取代基的喹啉单体单元以及可以具有取代基的支链结构的单体单元。根据本发明可以提供稳定性出色的发光聚合物材料。
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