公开(公告)号：CN101146920A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680009179.0

申请日：2006-03-23

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 江良尚彦 ,  深町一彦 ,  桑垣宽

IPC: C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22C9/06 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  H01R13/03

Abstract: 本发明提供强度和导电性优异的含有Co的电子材料用Cu－Ni－Si系合金。该电子材料用铜合金含有Ni：约0.5～约2.5质量％、Co：约0.5～约2.5质量％、和Si：约0.30～约1.2质量％，其余部分由Cu和不可避免的杂质构成，Ni和Co的合计质量相对于Si的质量浓度([Ni+Co]/Si比)为：约4≤[Ni+Co]/Si≤约5，Ni和Co的质量浓度比(Ni/Co比)为：约0.5≤Ni/Co≤约2。

公开(公告)号：CN100564559C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200680009829.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 江良尚彦 ,  深町一彦 ,  桑垣宽

IPC: C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C22F1/00 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49579 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供强度和导电性极大提高、具有优异特性的电子材料用Cu-Ni-Si-Co-Cr系铜合金。该电子材料用Cu-Ni-Si-Co-Cr系铜合金的特征是含有Ni：约0.5～约2.5质量%、Co：约0.5～约2.5质量%、和Si：约0.30～约1.2质量%，Cr：约0.09～约0.5质量%，其余部分由Cu和不可避免的杂质构成，该合金组成中的Ni和Co的合计量相对于Si的质量浓度比为：约4≤[Ni+Co]/Si≤约5，该合金组成中的Ni和Co的质量浓度比为：约0.5≤Ni/Co≤约2，对于分散在材料中的大小为1μm以上的夹杂物的个数(P)、其中的含碳浓度为10质量%以上的夹杂物的个数(Pc)，Pc约为15个/1000μm2以下，且其比Pc/P≤约0.3以下。

公开(公告)号：CN101151385A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680009829.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 江良尚彦 ,  深町一彦 ,  桑垣宽

IPC: C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C22F1/00 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49579 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供强度和导电性极大提高、具有优异特性的电子材料用Cu－Ni－Si－Co－Cr系铜合金。该电子材料用Cu－Ni－Si－Co－Cr系铜合金的特征是含有Ni：约0.5～约2.5质量％、Co：约0.5～约2.5质量％、和Si：约0.30～约1.2质量％，Cr：约0.09～约0.5质量％，其余部分由Cu和不可避免的杂质构成，该合金组成中的Ni和Co的合计量相对于Si的质量浓度比为：约4≤[Ni+Co]/Si≤约5，该合金组成中的Ni和Co的质量浓度比为：约0.5≤Ni/Co≤约2，对于分散在材料中的大小为1μm以上的夹杂物的个数(P)、其中的含碳浓度为10质量％以上的夹杂物的个数(Pc)，Pc约为15个/1000μm2以下，且其比Pc/P≤约0.3以下。

公开(公告)号：CN101646791A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200880010175.3

申请日：2008-03-28

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 桑垣宽

IPC: C22C9/06 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22F1/00 ,  C22C9/05 ,  C22C9/10 ,  C22F1/08 ,  H01B1/02 ,  H01B5/02

CPC classification number: C22F1/08 ,  C22C9/06 ,  C22F1/00

Abstract: 本发明提供一种粗大第二相粒子的生成得到抑制的Cu-Ni-Si-Co系合金。在Cu-Ni-Si-Co系合金的制造步骤中，(1)热轧是在950℃～1050℃下加热1小时以上后进行，使热轧结束时的温度在850℃以上，以15℃/s以上的冷却速度进行冷却，且(2)固溶处理在850℃～1050℃下进行，然后以15℃/s以上的冷却速度进行冷却。根据本发明，可提供一种电子材料用铜合金，其含有Ni：1.0～2.5质量％、Co：0.5～2.5质量％、Si：0.30～1.20质量％，剩余部分包含Cu及不可避免的杂质，其中，不存在粒径超过10μm的第二相粒子，在平行于压延方向的剖面上，粒径为5μm～10μm的第二相粒子为50个/mm 2 以下。

公开(公告)号：CN101541987A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000652.8

申请日：2008-08-22

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 江良尚彦 ,  桑垣宽

IPC: C22C9/06 ,  B21B3/00 ,  C22F1/08 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00 ,  H01L23/50 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22C9/06 ,  B21B2003/005 ,  C22F1/08 ,  H01B1/026

Abstract: 本发明提供一种强度、电导率及冲裁性优异的Cu－Ni－Si－Co系合金。本发明为一种电子材料用铜合金，含有Ni：1.0～2.5质量％、Co：0.5～2.5质量％、Si：0.30～1.2质量％，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在平行于轧制方向的剖面上进行观察时，对于粒径在0.1μm以上、1μm以下的第二相粒子的组成的差异及面积率，〔Ni+Co+Si〕量的中间值：ρ(质量％)为20(质量％)≤ρ≤60(质量％)，标准偏差：σ(Ni+Co+Si)为σ(Ni+Co+Si)≤30(质量％)，面积率：S(％)为1％≤S≤10％。

公开(公告)号：CN101522927A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037203.6

申请日：2007-10-02

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 桑垣宽 ,  江良尚彦

IPC: C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  H01B1/02 ,  H01R13/03 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22C9/06 ,  H01R13/03

Abstract: 本发明提供适合用作端子、连接器、开关、继电器用途的材料的电子材料用铜合金，所述铜合金在强度、导电率及弯曲加工性的平衡方面优异。电子材料用铜合金，其特征在于，含有Co：1.00－2.50％质量、Si：0.20－0.70％质量，余量由Cu及不可避免的杂质构成，Co和Si的质量浓度比(Co/Si比)为3.5≤Co/Si≤5，导电率为55％IACS以上，优选60％IACS以上，优选下述铜合金：含有Cr：0.05－0.50％质量，作为不可避免的杂质的碳为50ppm以下，还含有0.001－0.300％质量的Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn及Ag中至少1种物质的铜合金。所述合金的制造方法，其中，在熔融铸造后进行热轧和冷轧，在最终冷轧前进行下述热处理：加热至700－1050℃后，以每秒10℃以上的速度冷却。