二次电池
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113424349A

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202080010602.9

    申请日:2020-01-30

    Abstract: 一种具有改善的性能的二次电池。根据本实施例,二次电池(100)包括第一电极(21)、第二电极(22)、设置在第一电极(21)上并包括第一n型氧化物半导体的第一层(11)、设置在第一层(11)上并包括第二n型氧化物半导体材料和第一绝缘材料的第二层(12)、设置在第二层(12)上并且是固体电解质层的第三层(13)以及设置在第三层(13)上并包括六方Ni(OH)2微晶的第四层(14)。

    蓄电设备
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110392955A

    公开(公告)日:2019-10-29

    申请号:CN201880017572.7

    申请日:2018-03-01

    Abstract: 蓄电设备(30)具备:第1氧化物半导体层(14),其具有第1导电型的第1氧化物半导体;第1充电层(16),其配置于第1氧化物半导体层(14)上、且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成;和,第3氧化物半导体层(24),其配置于第1充电层(16)上。第3氧化物半导体层(24)具有氢、和第2导电型的第3氧化物半导体,氢相对于构成第3氧化物半导体的金属的比率为40%以上。提供能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的蓄电设备。

    二次电池
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110431707A

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201880018529.2

    申请日:2018-03-01

    Abstract: 二次电池(30)具备:第1导电型的第1氧化物半导体层(14);第1充电层(16T),其配置于第1氧化物半导体层(14)上、且由第1金属氧化物形成;第1分离层(18SNS),其配置于第1充电层(16T)上;和,第2导电型的第2氧化物半导体层(24),其配置于第1分离层(18SNS)上。第1充电层(16T)不是由包含硅的材料构成的。在第1充电层(16T)上可以具备配置于第1分离层(18SNS)与第1充电层(16T)之间的第2分离层(18TS)。提供:能降低内阻、能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的二次电池。

    二次电池
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109643829B

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN201780052280.2

    申请日:2017-07-24

    Abstract: 二次电池(30)具备:第1导电型的第1氧化物半导体层(14);第1充电层(16),其配置于第1氧化物半导体层(14)上,且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成;第2充电层(18),其配置于第1充电层(16)上;第2导电型的第3氧化物半导体层(24),其配置于第2充电层(18)上;和,氢氧化物层(22),其配置于第1充电层(16)与第3氧化物半导体层(24)之间,且具有构成第3氧化物半导体层(24)的金属的氢氧化物。提供能量密度提高、能增大电池特性(蓄电容量)、且可靠性高的二次电池。

    蓄电装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111542938A

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN201880069521.9

    申请日:2018-04-24

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种蓄电装置结构,其相对于现有的蓄电装置的层叠数减少。本发明的蓄电装置将导电性电极、具有绝缘体和n型金属氧化物半导体的蓄积电荷的充电层、以及由作为固态电致变色元件的电介质层所使用的材料的氧化铱形成的氧化铱层依次层叠。由于氧化铱具有低电阻率,因此可使氧化铱层具有导电性电极的功能,省略了导电性电极而使层叠数减少。

    二次电池
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109643829A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201780052280.2

    申请日:2017-07-24

    Abstract: 二次电池(30)具备:第1导电型的第1氧化物半导体层(14);第1充电层(16),其配置于第1氧化物半导体层(14)上,且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成;第2充电层(18),其配置于第1充电层(16)上;第2导电型的第3氧化物半导体层(24),其配置于第2充电层(18)上;和,氢氧化物层(22),其配置于第1充电层(16)与第3氧化物半导体层(24)之间,且具有构成第3氧化物半导体层(24)的金属的氢氧化物。提供能量密度提高、能增大电池特性(蓄电容量)、且可靠性高的二次电池。

    蓄电设备
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110392955B

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN201880017572.7

    申请日:2018-03-01

    Abstract: 蓄电设备(30)具备:第1氧化物半导体层(14),其具有第1导电型的第1氧化物半导体;第1充电层(16),其配置于第1氧化物半导体层(14)上、且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成;和,第3氧化物半导体层(24),其配置于第1充电层(16)上。第3氧化物半导体层(24)具有氢、和第2导电型的第3氧化物半导体,氢相对于构成第3氧化物半导体的金属的比率为40%以上。提供能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的蓄电设备。

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